China Speicher-IC-Chip

Gedächtnis IC 256Mbit 24FBGA Chip Pseudos SRAM der integrierten Schaltung S80KS2562GABHI020

Teilnummer:S80KS2562GABHI020

Industrielles (i):-40°C bis +85°C

Schnittstellenunterstützung:1,8 V/3,0 V
512Mbit SPI - Oktal-Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-FBGA Inputs/Output 200MHz S80KS5123GABHI020

Teilnummer:S80KS5123GABHI020

Speichergröße:512 Mbit

Maximale Taktfrequenz:200 MHz
Gedächtnis IC 24-VBGA der integrierten Schaltung des Chip-S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus

Teilnummer:S27KS0642GABHM023

Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)

Explosion las oder schreibt:30 MA
128Mbit Chip 24-VBGA Pseudo-SRAM der integrierten Schaltung des Speicherchip-S70KS1282GABHV023

Teilnummer:S70KS1282GABHV023

Schnittstellenunterstützung:1,8 V/3,0 V

Betriebstemperatur (Minute):-40°C (TA)
IC brechen Oberflächenberg-Gedächtnis IC S27KS0642GABHB023 200 MHZ 35 ns 24-FBGA ab

Teilnummer:S27KS0642GABHB023

Technologie:D-RAM 38-nm

DRAM:38-nm
Chip der integrierten Schaltung des Chip-S70KL1282GABHB030 128Mbit des Speicherchip-VBGA24 IC

Teilnummer:S70KL1282GABHB030

Eingewickelte gesprengte Längen:128 Bytes (64 Uhren)

Lineare Explosion:MB 64
Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI Oktal-Gedächtnis IC Inputs/Output 200MHz

Teilnummer:S80KS2563GABHI023

Programm:50

SDR las:50 MHz
Speicherchip integrierter Schaltung Gedächtnis 512Mbit ICs S80KS5123GABHV023 des Chip-FBGA24

Teilnummer:S80KS5123GABHV023

Schnittstelle:xSPI (Oktal) Schnittstelle

Betriebstemperaturbereich - industrielles (i):– °C 40 zu °C +85
Gedächtnis IC Chip Integrated Circuits S70KS1282GABHM023 128Mbit HyperBus 35ns

Teilnummer:S70KS1282GABHM023

Speicheroberfläche:HyperBus

Technologie:Pseudo-SRAM
Pseudo-SRAM Gedächtnis IC ICs Chip Surface Mount S80KS2563GABHI020 32MB 200MHz

Teilnummer:S80KS2563GABHI020

Eingewickelte gesprengte Längen:16 Bytes

Industrielles Plus:-40°C zu +105°C
Electronic Integrated Circuits S26HS512TGABHI013 Speicher-IC 512 Mbit 24-FBGA

Teilnummer:S26HS512TGABHI013

Gesprengte Lese-Schreibstromaufnahme:22mA/25mA

Bereitschaft:µA 360
Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGA

Teilnummer:S80KS5123GABHB023

Datenbus-Breite:Bit 8

Organisation:8 M x 8

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Gedächtnis IC 256Mbit 24FBGA Chip Pseudos SRAM der integrierten Schaltung S80KS2562GABHI020

512Mbit SPI - Oktal-Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-FBGA Inputs/Output 200MHz S80KS5123GABHI020

Gedächtnis IC 24-VBGA der integrierten Schaltung des Chip-S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus

128Mbit Chip 24-VBGA Pseudo-SRAM der integrierten Schaltung des Speicherchip-S70KS1282GABHV023

IC brechen Oberflächenberg-Gedächtnis IC S27KS0642GABHB023 200 MHZ 35 ns 24-FBGA ab

Chip der integrierten Schaltung des Chip-S70KL1282GABHB030 128Mbit des Speicherchip-VBGA24 IC

Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI Oktal-Gedächtnis IC Inputs/Output 200MHz

Speicherchip integrierter Schaltung Gedächtnis 512Mbit ICs S80KS5123GABHV023 des Chip-FBGA24

Gedächtnis IC Chip Integrated Circuits S70KS1282GABHM023 128Mbit HyperBus 35ns

Pseudo-SRAM Gedächtnis IC ICs Chip Surface Mount S80KS2563GABHI020 32MB 200MHz

Electronic Integrated Circuits S26HS512TGABHI013 Speicher-IC 512 Mbit 24-FBGA

Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGA

Chip der integrierten Schaltung

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