Startseite Produkte

Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI der integrierten Schaltung 133 MHZ-Gedächtnis IC

Teilnummer:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

Löschenleistung:80KB/sec

Subsektor:4KB
MT29F2G01ABBGD12-AAT: Oberflächenberg ICs 24-T-PBGA Gedächtnis G 2Gbit SPI 83MHz

Teilnummer:MT29F2G01ABBGD12-AAT: G

Speichergröße:2Gbit

Speicheroberfläche:SPI
Berg MT29F1T08EELEEJ4-R der Oberflächen-1Tbit paralleler 132-VBGA: E NAND Memory IC

Teilnummer:MT29F1T08EELEEJ4-R: E

Technologie:BLITZ - NAND (TLC)

Spannung - Versorgung:2.6V | 3.6V
Chip MT29F512G08EBLEEJ4-T der integrierten Schaltung: Gedächtnis IC E 512Gbit 132-VBGA

Teilnummer:MT29F512G08EBLEEJ4-T: E

Gedächtnisorganisation:64G x 8

Datenbus-Breite:Bit 8
GRELL - NAND Memory IC MT29F1T08EELEEJ4-T: Paralleles Paket 132-VBGA E 1Tbit

Teilnummer:MT29F1T08EELEEJ4-T: E

Technologie:BLITZ - NAND (TLC)

Organisation:128 G x 8
GRELL - NAND Memory IC MT29F1G01ABBFD12-AAT: Elektronische integrierte Schaltungen F

Teilnummer:MT29F1G01ABBFD12-AAT: F

Gedächtnisorganisation:1G x 1

Speicheroberfläche:SPI
8Tbit BLITZ - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-R: Chip e-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F8T08EWLEEM5-R: E

Versorgungs-Spannung - Minute:1,7 V

Versorgungs-Spannung - maximal:1,95 V
Oberflächenberg MT25QL128ABA1EW7-0 SIT Memory IC 128Mbit SPI 133 MHZ 8-WPDFN

Teilnummer:MT25QL128ABA1EW7-0SIT

Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.

Speicherformat:Flasch
Chip MT35XU02GCBA1G12-0 AAT Flash Memory SLC 256MX8 TFBGA QDP der integrierten Schaltung

Teilnummer:MT3B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B

Produktkategorie:NOCH grell

Speichergröße:2 Gbit
8Tbit paralleler BLITZ - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-T: E Chip Integrated Circuit

Teilnummer:MT29F8T08EWLEEM5-T: E

Organisation:1T x 8

Schnittstelle:Parallel
Oberflächenberg der integrierten Schaltung des Chip-MT25QU02GCBB8E12-0 SIT Memory IC 24-TBGA

Teilnummer:MT25QU02GCBB8E12-0SIT

Versorgungsspannung - Min:1.7 V

Versorgungs-Spannung - maximal:2 V
Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-MT25QL512ABB8ESF-0AAT 512Mbit SPI 133MHz

Teilnummer:MT25QL512ABB8ESF-0AAT

Gedächtnisorganisation:64M x 8

Spannung - Versorgung:2.7V ~ 3.6V

Page 200 of 207|< << 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 >> >|

Kategorien durchsuchen：

Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI der integrierten Schaltung 133 MHZ-Gedächtnis IC

MT29F2G01ABBGD12-AAT: Oberflächenberg ICs 24-T-PBGA Gedächtnis G 2Gbit SPI 83MHz

Berg MT29F1T08EELEEJ4-R der Oberflächen-1Tbit paralleler 132-VBGA: E NAND Memory IC

Chip MT29F512G08EBLEEJ4-T der integrierten Schaltung: Gedächtnis IC E 512Gbit 132-VBGA

GRELL - NAND Memory IC MT29F1T08EELEEJ4-T: Paralleles Paket 132-VBGA E 1Tbit

GRELL - NAND Memory IC MT29F1G01ABBFD12-AAT: Elektronische integrierte Schaltungen F

8Tbit BLITZ - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-R: Chip e-integrierter Schaltung

Oberflächenberg MT25QL128ABA1EW7-0 SIT Memory IC 128Mbit SPI 133 MHZ 8-WPDFN

Chip MT35XU02GCBA1G12-0 AAT Flash Memory SLC 256MX8 TFBGA QDP der integrierten Schaltung

8Tbit paralleler BLITZ - NAND Memory IC MT29F8T08EWLEEM5-T: E Chip Integrated Circuit

Oberflächenberg der integrierten Schaltung des Chip-MT25QU02GCBB8E12-0 SIT Memory IC 24-TBGA

Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-MT25QL512ABB8ESF-0AAT 512Mbit SPI 133MHz

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver