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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip MT29F8G08ABBCAH4-IT der integrierten Schaltung: Speicherchips C NAND Flash Memory 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F8G08ABBCAH4-IT: C

Versorgungs-Spannung - maximal:1,95 V

Betriebstemperatur:-40 °C bis 85 °C (TA)
Speicherchip MT29F8G01ADBFD12-AAT: BLITZ NAND Memory IC 24-TBGA 83MHz F 8Gbit SPI

Teilnummer:MT29F8G01ADBFD12-AAT: F

Speichertypen:6mm x 8mm

Betriebstemperatur:Flasch
MT29F4G08ABBFAH4-IT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher F 4Gbit

Teilnummer:MT29F4G08ABBFAH4-IT: F

Speichertypen:Nicht flüchtig

Betriebstemperatur:-40 °C bis 85 °C (TA)
Chip MT29F8G08ABACAH4-IT der integrierten Schaltung: C 8Gbit NAND Flash Memory IC 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F8G08ABACAH4-IT: C

Gedächtnisorganisation:1G x 8

Funktionierender Spannungsbereich – VCC:2.7V-3.6V
64Gbit NAND Flash Memory MT29F64G08AECABH1-10ITZ: Ein Chip 100-VBGA der integrierten Schaltung

Teilnummer:MT29F64G08AECABH1-10ITZ:

Uhrfrequenz:100 MHz

Taktfrequenz:10ns (DDR)
Xccela-Flash-Speicher IC MT35XU512ABA2G12-0 AAT Integrated Circuit Chip 24-TBGA

Teilnummer:MT35XU512ABA2G12-0AAT

Speicheroberfläche:Xccela-Bus

Spannung - Versorgung:1.7V | 2V
Serien-NAND Flash Memory MT29F1G01ABAFDSF-AAT: Chip integrierter Schaltung F 16-SOIC

Teilnummer:MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F

Gedächtnisorganisation:1G x 1

Versorgungs-Strom - maximal:35 MA
MT29F2G01ABAGD12-AAT: Chip integrierten Schaltung G 2Gbit SPI der Speicherchip-24-TBGA

Teilnummer:MT29F2G01ABAGD12-AAT: G

Chipset-Bestätigung:N/A

Dichte:2GB
4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G16ABBDAH4-IT: Chips D NAND Flash Memory Chip 63-VFBGA IC

Teilnummer:MT29F4G16ABBDAH4-IT: D

Größe:9mm x 11mm

Technologie:FLASH - NAND
MT29F2G16ABBEAH4-AAT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher E 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBEAH4-AAT: E

Organisation:128 M x 16

Technologie:FLASH - NAND
Chip MT29F2G08ABAEAH4-AITX der integrierten Schaltung: BLITZ NAND Memory Chips E 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F2G08ABAEAH4-AITX: E

Versorgungs-Strom - maximal:35 MA

Versorgungs-Spannung - Minute:2,7 V
Chip MT29F2G08ABAEAWP-IT der integrierten Schaltung: Paralleler Speicherchip E 48-TSOP 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

Packung / Gehäuse:48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)

Gedächtnisorganisation:256M x 8

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Speicherchip MT29F8G01ADBFD12-AAT: BLITZ NAND Memory IC 24-TBGA 83MHz F 8Gbit SPI

MT29F4G08ABBFAH4-IT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher F 4Gbit

Chip MT29F8G08ABACAH4-IT der integrierten Schaltung: C 8Gbit NAND Flash Memory IC 63-VFBGA

64Gbit NAND Flash Memory MT29F64G08AECABH1-10ITZ: Ein Chip 100-VBGA der integrierten Schaltung

Xccela-Flash-Speicher IC MT35XU512ABA2G12-0 AAT Integrated Circuit Chip 24-TBGA

Serien-NAND Flash Memory MT29F1G01ABAFDSF-AAT: Chip integrierter Schaltung F 16-SOIC

MT29F2G01ABAGD12-AAT: Chip integrierten Schaltung G 2Gbit SPI der Speicherchip-24-TBGA

4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G16ABBDAH4-IT: Chips D NAND Flash Memory Chip 63-VFBGA IC

MT29F2G16ABBEAH4-AAT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher E 2Gbit

Chip MT29F2G08ABAEAH4-AITX der integrierten Schaltung: BLITZ NAND Memory Chips E 63-VFBGA

Chip MT29F2G08ABAEAWP-IT der integrierten Schaltung: Paralleler Speicherchip E 48-TSOP 2Gbit

Chip der integrierten Schaltung

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