China Speicher-IC-Chip

MT29F4G08ABBFAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher F 4Gbit

Teilnummer:MT29F4G08ABBFAH4-AIT: F

Programmseite:240µs (ART) mit Aufwürfel ECC ermöglichte

Zahl von Flächen:1
Chip MT29F2G08ABAGAWP-IT der integrierten Schaltung: Ähnlichkeit G 48-TFSOP Speicherchip-2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAWP-IT: G

Regelungsart:Asynchron

Spannung - Versorgung (Minute):2.7V
Speicherchips 63-VFBGA MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F 4Gbit paralleles NAND Flash Memory IC

Teilnummer:MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F

Löschenblock:2ms (ART)

Größe:9 mm × 11 mm × 1,0 mm
NAND Flash Memory Chips MT29F8G08ADAFAWP-AAT: Chip 48-TFSOP f-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F8G08ADAFAWP-AAT: F

Gedächtnisorganisation:1G x 8

Gerätgröße:8Gb: 8.192 Blöcke
Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE der integrierten Schaltung: G-BLITZ NAND Memory IC 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G

Packung / Gehäuse:VFBGA-63

Speichergröße:2 Gbit
8Gbit Ähnlichkeit MT29F8G08ADAFAWP-AIT: BLITZ NAND Memory Chip 35mA F 48-TFSOP

Teilnummer:MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F

Organisation:1 G x 8

Speichertypen:Nicht flüchtig
Chip MT29F4G01ABAFD12-AAT der integrierten Schaltung: Speicherchips 24-TBGA F 4Gbit SPI

Teilnummer:MT29F4G01ABAFD12-AAT: F

FBGA-Code:NW931

OP. Temp.:-40C zu +105C
Flash-Speicher MT35XU01GBBA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip 24-TBGA 1Gbit Xccela

Teilnummer:MT35XU01GBBA1G12-0SIT

Einheitliche Körnigkeit des Sektorlöschens:128kB

Subsektorlöschen:4KB
Speicherchips MT29F1G08ABBFAH4-ITE: Paralleler 63-VFBGA BLITZ F 1Gbit NAND Memory IC

Teilnummer:MT29F1G08ABBFAH4-ITE: F

Regelungsart:Asynchron

Dichte:1 GB
Chip MT29F4G08ABADAWP-AATX der integrierten Schaltung: D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

Teilnummer:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D

Versorgungs-Strom - maximal:35 MA

Datenbus-Breite:Bit 8
Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX der integrierten Schaltung: Parallele Flash-Speicher-Chips E 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

Art der Ware:NAND-Flash-Speicher

Organisation:256 M x 8
63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung G NAND Flash Memory IC 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G

Regelungsart:Asynchron

Versorgungs-Spannung - maximal:1,95 V

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

MT29F4G08ABBFAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher F 4Gbit

Chip MT29F2G08ABAGAWP-IT der integrierten Schaltung: Ähnlichkeit G 48-TFSOP Speicherchip-2Gbit

Speicherchips 63-VFBGA MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F 4Gbit paralleles NAND Flash Memory IC

NAND Flash Memory Chips MT29F8G08ADAFAWP-AAT: Chip 48-TFSOP f-integrierter Schaltung

Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE der integrierten Schaltung: G-BLITZ NAND Memory IC 63-VFBGA

8Gbit Ähnlichkeit MT29F8G08ADAFAWP-AIT: BLITZ NAND Memory Chip 35mA F 48-TFSOP

Chip MT29F4G01ABAFD12-AAT der integrierten Schaltung: Speicherchips 24-TBGA F 4Gbit SPI

Flash-Speicher MT35XU01GBBA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip 24-TBGA 1Gbit Xccela

Speicherchips MT29F1G08ABBFAH4-ITE: Paralleler 63-VFBGA BLITZ F 1Gbit NAND Memory IC

Chip MT29F4G08ABADAWP-AATX der integrierten Schaltung: D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX der integrierten Schaltung: Parallele Flash-Speicher-Chips E 2Gbit

63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung G NAND Flash Memory IC 2Gbit

Chip der integrierten Schaltung

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