China Speicher-IC-Chip

Chip S25FL064LABMFV011 64Mbit SPI - Viererkabel Input-/Outputgedächtnis IC der integrierten Schaltung

Teilnummer:S25FL064LABMFV011

Taktfrequenz:108 MHZ

Spannung - Versorgung:2.7V | 3.6V
Chip MT29F4G08ABBDAHC-IT der integrierten Schaltung: D 4Gbit paralleles NAND Flash Memory IC

Teilnummer:MT29F4G08ABBDAHC-IT: D

Betriebstemperatur:-40°C | 85°C (TA)

Technologie:BLITZ - NAND
Pseudo-SRAM Speicherchips der integrierten Schaltung S70KL1283GABHB023 des Chip-24-FBGA

Teilnummer:S70KL1283GABHB023

Betriebstemperatur:-40 °C bis 105 °C (TA)

Unsymmetrische Uhr (CK):11 Bussignale
S70KS1282GABHI023 integrierte Schaltung Chip HyperBus Interface Memory Chips 24-VBGA

Teilnummer:S70KS1282GABHI023

Gedächtnisorganisation:16M x 8

Speichergröße:128Mbit
Speicherchips der integrierten Schaltung S80KS5123GABHM023 des Chip-24-FBGA 200MHz 512Mbit

Teilnummer:S80KS5123GABHM023

Packung / Gehäuse:FBGA-24

Anfangszugriffzeit:35 ns
200 Chip integrierten Schaltung MHZ-Gedächtnis ICs 24-FBGA der Paket-S70KL1283GABHI020

Teilnummer:S70KL1283GABHI020

Zugriffszeit:35 ns

Gedächtnisorganisation:16M x 8
Speicherchips der integrierten Schaltung S28HS01GTGZBHI030 des Chip-BGA des Paket-1024MBit

Teilnummer:S28HS01GTGZBHI030

Paket:BGA

Typ:Speicherchip
Speicher-IC-Chip S70KS1283GABHA020 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 24-VBGA 128Mbit PSRAM Speicher-IC

Teilnummer:S70KS1283GABHA020

Technologie:D-RAM 38-nm

Paket:24-ball FBGA
S28HS01GTGZBHV033 elektronische integrierte Schaltungen 1Gbit 200 MHZ-Gedächtnis IC

Teilnummer:S28HS01GTGZBHV033

Minimale Zyklen:500

Programm-/Löschenzyklen:Sektor 4KB
S70KS1282GABHB033 integrierte Schaltung Chip Surface Mount 200 MHZ-Gedächtnis IC

Teilnummer:S70KS1282GABHB033

Adressraum besteht:Sektoren 256KB

Richtigkeit der Daten:Geräte 256Mb
128Mbit SPI Oktal ich Chip integrierter Schaltung O-Gedächtnis ICs S70KS1283GABHV020

Teilnummer:S70KS1283GABHV020

PSRAM:Bandmitte 128

Halbseite:Byte 16
S80KS5122GABHV020 elektronisches Gedächtnis IC MHZ 35NS 24-FBG der integrierten Schaltungen 200

Teilnummer:S80KS5122GABHV020

Versorgungs-Spannung - maximal:2 V

Versorgungs-Spannung - Minute:1,7 V

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip S25FL064LABMFV011 64Mbit SPI - Viererkabel Input-/Outputgedächtnis IC der integrierten Schaltung

Chip MT29F4G08ABBDAHC-IT der integrierten Schaltung: D 4Gbit paralleles NAND Flash Memory IC

Pseudo-SRAM Speicherchips der integrierten Schaltung S70KL1283GABHB023 des Chip-24-FBGA

S70KS1282GABHI023 integrierte Schaltung Chip HyperBus Interface Memory Chips 24-VBGA

Speicherchips der integrierten Schaltung S80KS5123GABHM023 des Chip-24-FBGA 200MHz 512Mbit

200 Chip integrierten Schaltung MHZ-Gedächtnis ICs 24-FBGA der Paket-S70KL1283GABHI020

Speicherchips der integrierten Schaltung S28HS01GTGZBHI030 des Chip-BGA des Paket-1024MBit

Speicher-IC-Chip S70KS1283GABHA020 Integrierter Schaltkreislauf-Chip 24-VBGA 128Mbit PSRAM Speicher-IC

S28HS01GTGZBHV033 elektronische integrierte Schaltungen 1Gbit 200 MHZ-Gedächtnis IC

S70KS1282GABHB033 integrierte Schaltung Chip Surface Mount 200 MHZ-Gedächtnis IC

128Mbit SPI Oktal ich Chip integrierter Schaltung O-Gedächtnis ICs S70KS1283GABHV020

S80KS5122GABHV020 elektronisches Gedächtnis IC MHZ 35NS 24-FBG der integrierten Schaltungen 200

Chip der integrierten Schaltung

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