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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Speicherchip MT60B2G8HB-48B: EIN Chip integrierter Schaltung ICs 82VFBGA Gedächtnis 16Gbit DDR5

Teilnummer:MT60B2G8HB-48B:

Gedächtnisorganisation:2G x 8

Speicherformat:DRAM
Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-S25FL256LAGNFB010 256Mbit SPI 133 MHZ 8-WSON

Teilnummer:S25FL256LAGNFB010

Speichergröße:256 Mbit

Uhrfrequenz:133 MHZ
Gedächtnis ICs 133 MHZ 8-WSON IC-Chip-S25FL256SAGNFI000 256Mbit Oberflächenberg

Teilnummer:S25FL256SAGNFI000

Speichertypen:NOCH

Stückgewicht:mg 11
CY14V101QS-BK108XI permanentes SRAM Gedächtnis IC 1Mbit SPI 108 MHZ 24-FBGA

Teilnummer:CY14V101QS-BK108XI

Speicherformat:NVSRAM

Speichergröße:1Mbit
Elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen S25FL512SDPMFVG10 66 MHZ 16-SOIC

Teilnummer:S25FL512SDPMFVG10

Schnittstellentyp:SPI

Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.
IC-Chip S25FL512SAGMFMR10 512Mbit SPI - Gedächtnis IC Viererkabel Inputs/Output 133 MHZ 16-SOIC

Teilnummer:S25FL512SAGMFMR10

Gedächtnisorganisation:64M x 8

Uhrfrequenz:133 MHZ
Chip MTFC8GAMALGT-AAT 64Gbit der integrierten Schaltung BLITZ - NAND Memory IC

Teilnummer:MTFC8GAMALGT-AAT

Speicherkapazität:64 GBS

Gedächtnisart:Permanent
Chip S25FL064LABMFV010 64Mbit SPI - Viererkabel Input-/Outputgedächtnis IC der integrierten Schaltung

Teilnummer:S25FL064LABMFV010

Schnittstellen-Frequenz:108MHz/54MHz

Datenbus-Breite:Bit 8
Elektronische integrierte Schaltungen S25FL128LAGNFI010 128Mbit SPI - Viererkabel Input-/Outputgedächtnis IC

Teilnummer:S25FL128LAGNFI010

Führungs-Ball-Ende:Matte Tin Plating

Höchstrückflut Temp:°C 260
Chip MT29F2G08ABAEAWP-AATX der integrierten Schaltung: E Automobil-NAND Flash Memory IC

Teilnummer:MT29F2G08ABAEAWP-AATX: E

Funktionierender Spannungsbereich – VCC:2.7V-3.6V

Speicherkapazität:2Gbit
Chips der integrierten Schaltung des Chip-CY15B102QN-50LHXI 50MHz FRAM des Speicherchip-8-WDFN IC

Teilnummer:CY15B102QN-50LHXI

Organisation:256 k x 8

Montageart:SMD/SMT
Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA

Teilnummer:CY7C1514KV18-250BZXI

Speichergröße:72 Mbit

Organisation:2 M x 36

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CY14V101QS-BK108XI permanentes SRAM Gedächtnis IC 1Mbit SPI 108 MHZ 24-FBGA

Elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen S25FL512SDPMFVG10 66 MHZ 16-SOIC

IC-Chip S25FL512SAGMFMR10 512Mbit SPI - Gedächtnis IC Viererkabel Inputs/Output 133 MHZ 16-SOIC

Chip MTFC8GAMALGT-AAT 64Gbit der integrierten Schaltung BLITZ - NAND Memory IC

Chip S25FL064LABMFV010 64Mbit SPI - Viererkabel Input-/Outputgedächtnis IC der integrierten Schaltung

Elektronische integrierte Schaltungen S25FL128LAGNFI010 128Mbit SPI - Viererkabel Input-/Outputgedächtnis IC

Chip MT29F2G08ABAEAWP-AATX der integrierten Schaltung: E Automobil-NAND Flash Memory IC

Chips der integrierten Schaltung des Chip-CY15B102QN-50LHXI 50MHz FRAM des Speicherchip-8-WDFN IC

Chip 250MHz integrierten Schaltung QDR II der Speicherchip-CY7C1514KV18-250BZXI 165-FBGA

Chip der integrierten Schaltung

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