Teilnummer:S70KL1283GABHV023
Datenbus:8 Bit
Taktfrequenz:200-MHz
Teilnummer:S27KS0642GABHI020
Gedächtnisorganisation:8M x 8
Speicheroberfläche:HyperBus
Teilnummer:S70KS1283GABHB023
Speicherformat:PSRAM
Speicheroberfläche:SPI - Oktal-Input/Output
Teilnummer:S80KS5123GABHA020
Anfangszugriffzeit:35 ns
Bandbreite:400 MByte/s
Teilnummer:S27KL0642GABHI020
Uhrfrequenz:200 MHz
Zugriffszeit:35 ns
Teilnummer:S80KS2563GABHV023
Taktfrequenz:1,8 V
Bereitschaft:°C 105
Teilnummer:S80KS2562GABHI020
Industrielles (i):-40°C bis +85°C
Schnittstellenunterstützung:1,8 V/3,0 V
Teilnummer:S80KS5123GABHI020
Speichergröße:512 Mbit
Maximale Taktfrequenz:200 MHz
Teilnummer:S27KS0642GABHM023
Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)
Explosion las oder schreibt:30 MA
Teilnummer:S70KS1282GABHV023
Schnittstellenunterstützung:1,8 V/3,0 V
Betriebstemperatur (Minute):-40°C (TA)
Teilnummer:S27KS0642GABHB023
Technologie:D-RAM 38-nm
DRAM:38-nm
Teilnummer:S70KL1282GABHB030
Eingewickelte gesprengte Längen:128 Bytes (64 Uhren)
Lineare Explosion:MB 64