Teilnummer:S28HS01GTGZBHI030
Paket:BGA
Typ:Speicherchip
Teilnummer:S70KS1283GABHA020
Technologie:D-RAM 38-nm
Paket:24-ball FBGA
Teilnummer:S28HS01GTGZBHV033
Minimale Zyklen:500
Programm-/Löschenzyklen:Sektor 4KB
Teilnummer:S70KS1282GABHB033
Adressraum besteht:Sektoren 256KB
Richtigkeit der Daten:Geräte 256Mb
Teilnummer:S70KS1283GABHV020
PSRAM:Bandmitte 128
Halbseite:Byte 16
Teilnummer:S80KS5122GABHV020
Versorgungs-Spannung - maximal:2 V
Versorgungs-Spannung - Minute:1,7 V
Teilnummer:S80KS5123GABHV020
Gedächtnisorganisation:64M x 8
Versorgungs-Strom - maximal:44 MA
Teilnummer:S80KS2562GABHM020
DRAM:MB 256
Bereitschaft:°C 105
Teilnummer:S27KL0643GABHI023
Datenbus:8 Bit
Taktfrequenz:200 MHz
Teilnummer:S26HS512TGABHV010
Spannung - Versorgung:1.7V | 2V
Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.
Teilnummer:S26HS512TGABHV013
DDR las:166MHz
Produktstatus:Aktiv
Teilnummer:S70KS1282GABHB030
Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)
Speichertypen:Flüchtig