Teilnummer:MT29F64G08AECABH1-10ITZ:
Uhrfrequenz:100 MHz
Taktfrequenz:10ns (DDR)
Teilnummer:MT35XU512ABA2G12-0AAT
Speicheroberfläche:Xccela-Bus
Spannung - Versorgung:1.7V | 2V
Teilnummer:MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F
Gedächtnisorganisation:1G x 1
Versorgungs-Strom - maximal:35 MA
Teilnummer:MT29F2G01ABAGD12-AAT: G
Chipset-Bestätigung:N/A
Dichte:2GB
Teilnummer:MT29F4G16ABBDAH4-IT: D
Größe:9mm x 11mm
Technologie:FLASH - NAND
Teilnummer:MT29F2G16ABBEAH4-AAT: E
Organisation:128 M x 16
Technologie:FLASH - NAND
Teilnummer:MT29F2G08ABAEAH4-AITX: E
Versorgungs-Strom - maximal:35 MA
Versorgungs-Spannung - Minute:2,7 V
Teilnummer:MT29F2G08ABAEAWP-IT:E
Packung / Gehäuse:48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)
Gedächtnisorganisation:256M x 8
Teilnummer:MT29F4G08ABBFAH4-AIT: F
Programmseite:240µs (ART) mit Aufwürfel ECC ermöglichte
Zahl von Flächen:1
Teilnummer:MT29F2G08ABAGAWP-IT: G
Regelungsart:Asynchron
Spannung - Versorgung (Minute):2.7V
Teilnummer:MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F
Löschenblock:2ms (ART)
Größe:9 mm × 11 mm × 1,0 mm
Teilnummer:MT29F8G08ADAFAWP-AAT: F
Gedächtnisorganisation:1G x 8
Gerätgröße:8Gb: 8.192 Blöcke