China Speicher-IC-Chip

Gedächtnis IC 512Mbit 200MHz 6NS MT35XU512ABA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip

Teilnummer:MT35XU512ABA1G12-0SIT

DDR:200 MHz

Dichte:512MB
1Gbit SPI 166 MHZ-Gedächtnis IC MT25QU01GBBB8ESF-0 SIT Electronic Integrated Circuits

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Organisation:1 G x 1/512 M x 2/256 M x 4

Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.
GEWICHT MT62F768M64D4EK-023: Chip integrierten Schaltung der c-Automobilspeicherchip-TFBGA-441

Teilnummer:GEWICHT MT62F768M64D4EK-023: C

Paket:441-ball TFBGA

Größe:14.0mm x 14.0mm
Chip MT28EW512ABA1LJS-0 SIT Flash Embedded Memory IC der integrierten Schaltung

Teilnummer:MT28EW512ABA1LJS-0SIT

Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:60ns

Zugriffszeit:95 ns
Chip MT62F2G64D8CZ-023 FAAT der integrierten Schaltung: Gedächtnis IC C 128Gbit Speicherchip-64Bit

Teilnummer:MT62F2G64D8CZ-023 FAAT: C

VDD1:1.70-1.95V; ART 1.80V

Organisation:2 G x 64
Gedächtnis IC 8-WPDFN der integrierten Schaltung des Chip-MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 1Gbit SPI

Teilnummer:MT25QU01GBBB1EW9-0SIT

Löschenleistung:80KB/sec

Dichte:1 GB
Chip TFBGA-441 MT62F768M64D4EK-023 FAAT der integrierten Schaltung: Speicherchips C 48Gbit

Teilnummer:MT62F768M64D4EK-023 FAAT: C

Maximale Bandbreite pro Kanal:17,1 GB/s

Organisation:768 M x 64
48Gbit Ähnlichkeit MT62F768M64D4EK-023 AUT: Chip integrierter Schaltung c-Gedächtnis ICs TFBGA-441

Teilnummer:MT62F768M64D4EK-023 AUT: C

Speicheroberfläche:Parallel

Versorgungs-Spannung - maximal:1,95 V
IC-Chip MT25QU01GBBB8ESF-0AAT 1Gbit SPI 133 MHZ-Gedächtnis IC-Oberflächen-Berg

Teilnummer:MT25QU01GBBB8ESF-0AAT

Gedächtnis:1Gbit

Organisation:128M x 8
Gedächtnis IC 256Mbit SPI MT25QU256ABA8ESF-0 SIT Electronic Integrated Circuits

Teilnummer:MT25QU256ABA8ESF-0SIT

Schnittstellentyp:SPI

Versorgungs-Spannung - maximal:2 V
Speicherchip MT60B2G8HB-48B: EIN Chip integrierter Schaltung ICs 82VFBGA Gedächtnis 16Gbit DDR5

Teilnummer:MT60B2G8HB-48B:

Gedächtnisorganisation:2G x 8

Speicherformat:DRAM
Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-S25FL256LAGNFB010 256Mbit SPI 133 MHZ 8-WSON

Teilnummer:S25FL256LAGNFB010

Speichergröße:256 Mbit

Uhrfrequenz:133 MHZ

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Gedächtnis IC 512Mbit 200MHz 6NS MT35XU512ABA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip

1Gbit SPI 166 MHZ-Gedächtnis IC MT25QU01GBBB8ESF-0 SIT Electronic Integrated Circuits

GEWICHT MT62F768M64D4EK-023: Chip integrierten Schaltung der c-Automobilspeicherchip-TFBGA-441

Chip MT28EW512ABA1LJS-0 SIT Flash Embedded Memory IC der integrierten Schaltung

Chip MT62F2G64D8CZ-023 FAAT der integrierten Schaltung: Gedächtnis IC C 128Gbit Speicherchip-64Bit

Gedächtnis IC 8-WPDFN der integrierten Schaltung des Chip-MT25QU01GBBB1EW9-0SIT 1Gbit SPI

Chip TFBGA-441 MT62F768M64D4EK-023 FAAT der integrierten Schaltung: Speicherchips C 48Gbit

48Gbit Ähnlichkeit MT62F768M64D4EK-023 AUT: Chip integrierter Schaltung c-Gedächtnis ICs TFBGA-441

IC-Chip MT25QU01GBBB8ESF-0AAT 1Gbit SPI 133 MHZ-Gedächtnis IC-Oberflächen-Berg

Gedächtnis IC 256Mbit SPI MT25QU256ABA8ESF-0 SIT Electronic Integrated Circuits

Speicherchip MT60B2G8HB-48B: EIN Chip integrierter Schaltung ICs 82VFBGA Gedächtnis 16Gbit DDR5

Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-S25FL256LAGNFB010 256Mbit SPI 133 MHZ 8-WSON

Chip der integrierten Schaltung

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