China Speicher-IC-Chip

Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE der integrierten Schaltung: G-BLITZ NAND Memory IC 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G

Packung / Gehäuse:VFBGA-63

Speichergröße:2 Gbit
8Gbit Ähnlichkeit MT29F8G08ADAFAWP-AIT: BLITZ NAND Memory Chip 35mA F 48-TFSOP

Teilnummer:MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F

Organisation:1 G x 8

Speichertypen:Nicht flüchtig
Chip MT29F4G01ABAFD12-AAT der integrierten Schaltung: Speicherchips 24-TBGA F 4Gbit SPI

Teilnummer:MT29F4G01ABAFD12-AAT: F

FBGA-Code:NW931

OP. Temp.:-40C zu +105C
Flash-Speicher MT35XU01GBBA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip 24-TBGA 1Gbit Xccela

Teilnummer:MT35XU01GBBA1G12-0SIT

Einheitliche Körnigkeit des Sektorlöschens:128kB

Subsektorlöschen:4KB
Speicherchips MT29F1G08ABBFAH4-ITE: Paralleler 63-VFBGA BLITZ F 1Gbit NAND Memory IC

Teilnummer:MT29F1G08ABBFAH4-ITE: F

Regelungsart:Asynchron

Dichte:1 GB
Chip MT29F4G08ABADAWP-AATX der integrierten Schaltung: D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

Teilnummer:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D

Versorgungs-Strom - maximal:35 MA

Datenbus-Breite:Bit 8
Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX der integrierten Schaltung: Parallele Flash-Speicher-Chips E 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

Art der Ware:NAND-Flash-Speicher

Organisation:256 M x 8
63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung G NAND Flash Memory IC 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G

Regelungsart:Asynchron

Versorgungs-Spannung - maximal:1,95 V
SLC NAND Flash Memory IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT: Chip 63-VFBGA f-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F4G16ABBFAH4-AAT: F

Dichte:4 GB

FBGA-Code:NX100
Chip MT29F2G08ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

Teilnummer:MT29F2G08ABBGAH4-AAT: G

Breite:Breite x8

Gedächtnisorganisation:256M x 8
Chip MT29F2G16ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: Parallele Speicherchips 63-VFBGA G 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G

Größe:9mm x 11mm

Typ der Montage:Oberflächenbefestigung
4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Speicherchips f-BLITZ NAND Memorys IC 48-TFSOP

Teilnummer:MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F

Reihe:MT29F

Montageart:SMD/SMT

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE der integrierten Schaltung: G-BLITZ NAND Memory IC 63-VFBGA

8Gbit Ähnlichkeit MT29F8G08ADAFAWP-AIT: BLITZ NAND Memory Chip 35mA F 48-TFSOP

Chip MT29F4G01ABAFD12-AAT der integrierten Schaltung: Speicherchips 24-TBGA F 4Gbit SPI

Flash-Speicher MT35XU01GBBA1G12-0 SIT Integrated Circuit Chip 24-TBGA 1Gbit Xccela

Speicherchips MT29F1G08ABBFAH4-ITE: Paralleler 63-VFBGA BLITZ F 1Gbit NAND Memory IC

Chip MT29F4G08ABADAWP-AATX der integrierten Schaltung: D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX der integrierten Schaltung: Parallele Flash-Speicher-Chips E 2Gbit

63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung G NAND Flash Memory IC 2Gbit

SLC NAND Flash Memory IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT: Chip 63-VFBGA f-integrierter Schaltung

Chip MT29F2G08ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

Chip MT29F2G16ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: Parallele Speicherchips 63-VFBGA G 2Gbit

4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Speicherchips f-BLITZ NAND Memorys IC 48-TFSOP

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

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