Startseite Produkte

Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

MT29F2G01ABAGD12-AAT: Chip integrierten Schaltung G 2Gbit SPI der Speicherchip-24-TBGA

Teilnummer:MT29F2G01ABAGD12-AAT: G

Chipset-Bestätigung:N/A

Dichte:2GB
4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G16ABBDAH4-IT: Chips D NAND Flash Memory Chip 63-VFBGA IC

Teilnummer:MT29F4G16ABBDAH4-IT: D

Größe:9mm x 11mm

Technologie:FLASH - NAND
MT29F2G16ABBEAH4-AAT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher E 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBEAH4-AAT: E

Organisation:128 M x 16

Technologie:FLASH - NAND
8Gbit NAND Flash Memory IC MT29F8G08ABACAWP-IT: Chip integrierter Schaltung C 48-TFSOP

Teilnummer:MT29F8G08ABACAWP-IT: C

Packung / Gehäuse:TSOP-48

Speichergröße:8 Gbit
Chip MT29F2G08ABAEAH4-AITX der integrierten Schaltung: BLITZ NAND Memory Chips E 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F2G08ABAEAH4-AITX: E

Versorgungs-Strom - maximal:35 MA

Versorgungs-Spannung - Minute:2,7 V
Chip MT29F2G08ABAEAWP-IT der integrierten Schaltung: Paralleler Speicherchip E 48-TSOP 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

Packung / Gehäuse:48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite)

Gedächtnisorganisation:256M x 8
MT29F4G08ABBFAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher F 4Gbit

Teilnummer:MT29F4G08ABBFAH4-AIT: F

Programmseite:240µs (ART) mit Aufwürfel ECC ermöglichte

Zahl von Flächen:1
Chip MT29F2G08ABAGAWP-IT der integrierten Schaltung: Ähnlichkeit G 48-TFSOP Speicherchip-2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAWP-IT: G

Regelungsart:Asynchron

Spannung - Versorgung (Minute):2.7V
Speicherchips 63-VFBGA MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F 4Gbit paralleles NAND Flash Memory IC

Teilnummer:MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F

Löschenblock:2ms (ART)

Größe:9 mm × 11 mm × 1,0 mm
NAND Flash Memory Chips MT29F8G08ADAFAWP-AAT: Chip 48-TFSOP f-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F8G08ADAFAWP-AAT: F

Gedächtnisorganisation:1G x 8

Gerätgröße:8Gb: 8.192 Blöcke
Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE der integrierten Schaltung: G-BLITZ NAND Memory IC 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAH4-ITE: G

Packung / Gehäuse:VFBGA-63

Speichergröße:2 Gbit
8Gbit Ähnlichkeit MT29F8G08ADAFAWP-AIT: BLITZ NAND Memory Chip 35mA F 48-TFSOP

Teilnummer:MT29F8G08ADAFAWP-AIT: F

Organisation:1 G x 8

Speichertypen:Nicht flüchtig

Page 197 of 207|< << 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 >> >|

Kategorien durchsuchen：

Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

MT29F2G01ABAGD12-AAT: Chip integrierten Schaltung G 2Gbit SPI der Speicherchip-24-TBGA

4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G16ABBDAH4-IT: Chips D NAND Flash Memory Chip 63-VFBGA IC

MT29F2G16ABBEAH4-AAT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher E 2Gbit

8Gbit NAND Flash Memory IC MT29F8G08ABACAWP-IT: Chip integrierter Schaltung C 48-TFSOP

Chip MT29F2G08ABAEAH4-AITX der integrierten Schaltung: BLITZ NAND Memory Chips E 63-VFBGA

Chip MT29F2G08ABAEAWP-IT der integrierten Schaltung: Paralleler Speicherchip E 48-TSOP 2Gbit

MT29F4G08ABBFAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung ICs 63-VFBGA Parallelspeicher F 4Gbit

Chip MT29F2G08ABAGAWP-IT der integrierten Schaltung: Ähnlichkeit G 48-TFSOP Speicherchip-2Gbit

Speicherchips 63-VFBGA MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F 4Gbit paralleles NAND Flash Memory IC

NAND Flash Memory Chips MT29F8G08ADAFAWP-AAT: Chip 48-TFSOP f-integrierter Schaltung

Chip MT29F2G08ABAGAH4-ITE der integrierten Schaltung: G-BLITZ NAND Memory IC 63-VFBGA

8Gbit Ähnlichkeit MT29F8G08ADAFAWP-AIT: BLITZ NAND Memory Chip 35mA F 48-TFSOP

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver