China Speicher-IC-Chip

Chip IS22TF32G-JCLA1 der integrierten Schaltung eMMC 5,1 Speicherchips Schnittstellen-256Gbit

Teilnummer:IS22TF32G-JCLA1

Betriebstemperatur (min):-40°C (TA)

Reihe:Automobilindustrie, AEC-Q100
153-VFBGA IS21TF128G-JCLI Chip 200MHz integrierter Schaltung BLITZ NAND Memory Chips

Teilnummer:IS21TF128G-JCLI

Spannung - Versorgung (Minute):2.7V

Betriebstemperatur (maximal):85°C (TA)
Elektronische integrierte Schaltungen MTFC128GAZAQJP-AIT 1Tbit MMC 200 MHZ-Gedächtnis IC

Teilnummer:MTFC128GAZAQJP-AIT

Gedächtnisorganisation:128G x 8

Speicheroberfläche:MMC
Speicherchip 100-LFBGA eMMC Chip IS21TF128G-JQLI 200MHz 1Tbit der integrierten Schaltung

Teilnummer:IS21TF128G-JQLI

Speicherformat:Flasch

Typ der Montage:Oberflächenbefestigung
Chip 153-VFBGA der integrierten Schaltung der Speicherchip-IS22TF128G-JCLA2 eMMC 5,1 Schnittstelle

Teilnummer:IS22TF128G-JCLA2

Größe:11.5mm x 13mm

Speichergröße:1Tbit
Speicherchips 100-LBGA 200MHz eMMC Chip IS22TF08G-JQLA1 8GB der integrierten Schaltung

Teilnummer:IS22TF08G-JQLA1

Speicheroberfläche:- Das ist nicht wahr.1

Uhrfrequenz:200 MHz
Elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen MTFC128GAZAQJP-IT 1Tbit 200MHz

Teilnummer:MTFC128GAZAQJP-IT

Paket:153-VFBGA

Speicheroberfläche:eMMC
IC-Chip MTFC128GAZAQJP-AAT 1Tbit eMMC 153-VFBGA BLITZ - NAND Memory IC

Teilnummer:MTFC128GAZAQJP-AAT

Speichergröße:1 TB

Schnittstelle:eMMC
Speicherchips MT29F4G08ABADAH4-AITX: D 63-VFBGA Automobil-NAND Flash Memory Chips

Teilnummer:MT29F4G08ABADAH4-AITX: D

Technologie:FLASH - NAND

Gedächtnisorganisation:512M x 8
Speicherchips MT29F8G01ADAFD12-AAT: F 8Gbit multiplexte NAND Flash Memory IC 24-TBGA

Teilnummer:MT29F8G01ADAFD12-AAT: F

Organisation:8G x 1

Schnittstellentyp:SPI
IC bricht MT29F4G08ABAFAH4-IT ab: F 4Gbit multiplexte NAND Flash Memory IC 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F4G08ABAFAH4-IT: F

Betriebstemperatur:-40 °C bis 85 °C (TA)

Reihe:MT29F
GRELLES NAND Memory IC MT29F8G08ADAFAH4-AAT: Chip integrierter Schaltung F 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F8G08ADAFAH4-AAT: F

Gedächtnisorganisation:1G x 8

Packung / Gehäuse:VFBGA-63

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip IS22TF32G-JCLA1 der integrierten Schaltung eMMC 5,1 Speicherchips Schnittstellen-256Gbit

153-VFBGA IS21TF128G-JCLI Chip 200MHz integrierter Schaltung BLITZ NAND Memory Chips

Elektronische integrierte Schaltungen MTFC128GAZAQJP-AIT 1Tbit MMC 200 MHZ-Gedächtnis IC

Speicherchip 100-LFBGA eMMC Chip IS21TF128G-JQLI 200MHz 1Tbit der integrierten Schaltung

Chip 153-VFBGA der integrierten Schaltung der Speicherchip-IS22TF128G-JCLA2 eMMC 5,1 Schnittstelle

Speicherchips 100-LBGA 200MHz eMMC Chip IS22TF08G-JQLA1 8GB der integrierten Schaltung

Elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen MTFC128GAZAQJP-IT 1Tbit 200MHz

IC-Chip MTFC128GAZAQJP-AAT 1Tbit eMMC 153-VFBGA BLITZ - NAND Memory IC

Speicherchips MT29F4G08ABADAH4-AITX: D 63-VFBGA Automobil-NAND Flash Memory Chips

Speicherchips MT29F8G01ADAFD12-AAT: F 8Gbit multiplexte NAND Flash Memory IC 24-TBGA

IC bricht MT29F4G08ABAFAH4-IT ab: F 4Gbit multiplexte NAND Flash Memory IC 63-VFBGA

GRELLES NAND Memory IC MT29F8G08ADAFAH4-AAT: Chip integrierter Schaltung F 63-VFBGA

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

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