Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Spannung - Versorgung:1.1V
Betriebstemperatur:-40 °C bis 95 °C (TC)
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speicherformat:DRAM
Speichergröße:48 Gbit
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speicherkapazität::8 Gbit
Datenbus-Breite::Bit 32
Teilnummer:GEWICHT MT62F512M32D2DS-031: B
Speichertypen:Flüchtig
Speicherformat:DRAM
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Uhrfrequenz:208 MHz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:14.4ns
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Zulassung:Automobilindustrie
Spannung - Versorgung:1.06V | 1.17V
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichergröße:64Gbit
Speicheroberfläche:Parallel
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichertypen:Flüchtig
Technologie:SDRAM - Bewegliches LPDDR4X
Teilnummer:MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F
Typ:SDRAM - LPDDR5
Speichergröße:96 Gbit
Teilnummer:MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F
Technologie:SDRAM - mobile LPDDR5X
Speichergröße:48 Gbit
Teilnummer:MT2F1F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F
Typ:SDRAM - LPDDR5
Speicherformat:DRAM
Teilnummer:MT2F512M32D2DS-031 IT:B
Speichergröße:16 Gbit
Datenbusbreite:Bit 32