Teilnummer:MT40A1G8SA-062E IT: E
Spannung - Versorgung:1.14V ~ 1.26V
Uhrfrequenz:1,6 Gigahertz
Teilnummer:MT41K256M16TW-107 AIT: P
Komponentendichte:4 Gbit
MT/s:1866MTPS
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Uhrfrequenz:2,133 Gigahertz
Spannung - Versorgung:1.1V
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Maximale Uhrfrequenz:2,133 Gigahertz
Organisation:384 M x 32
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speicheroberfläche:Parallel
Typ der Montage:Oberflächenbefestigung
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Organisation::768 M x 32
Typ::SDRAM Mobile - LPDDR4
Teilnummer:MT2F512M64D4EK-031 WT:B
Speichergröße:32Gbit
Gedächtnisorganisation:512M x 64
Teilnummer:MT2F512M32D2DS-031 AUT:B
Speicherformat:DRAM
Speichertypen:Flüchtig
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichergröße:8 Gbit
Datenbusbreite:Bit 32
Min Bestellmenge:10
Preis:Contact for Sample
Verpackung Informationen:Standardpaket
Min Bestellmenge:10
Preis:Contact for Sample
Verpackung Informationen:Standardpaket
Min Bestellmenge:10
Preis:Contact for Sample
Verpackung Informationen:Standardpaket