Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Uhrfrequenz:208 MHz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:14.4ns
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Zulassung:Automobilindustrie
Spannung - Versorgung:1.06V | 1.17V
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichergröße:64Gbit
Speicheroberfläche:Parallel
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichertypen:Flüchtig
Technologie:SDRAM - Bewegliches LPDDR4X
Teilnummer:MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F
Typ:SDRAM - LPDDR5
Speichergröße:96 Gbit
Teilnummer:MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F
Technologie:SDRAM - mobile LPDDR5X
Speichergröße:48 Gbit
Teilnummer:MT2F1F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F
Typ:SDRAM - LPDDR5
Speicherformat:DRAM
Teilnummer:MT2F512M32D2DS-031 IT:B
Speichergröße:16 Gbit
Datenbusbreite:Bit 32
Teilnummer:MT40A1G8SA-062E IT: E
Spannung - Versorgung:1.14V ~ 1.26V
Uhrfrequenz:1,6 Gigahertz
Teilnummer:MT41K256M16TW-107 AIT: P
Komponentendichte:4 Gbit
MT/s:1866MTPS
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Uhrfrequenz:2,133 Gigahertz
Spannung - Versorgung:1.1V
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Maximale Uhrfrequenz:2,133 Gigahertz
Organisation:384 M x 32