Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Speichergröße:8 Tbit
Gedächtnisorganisation:1 T x 8
Teilnummer:MT53D512M32D2DS-053 AAT: D
Min Bestellmenge:10
Preis:Contact for Sample
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Uhrfrequenz:1,6 Gigahertz
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:15n
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
Min Bestellmenge:10
Preis:Contact for Sample
Teilnummer:MT4F4T08GMLCEJ4-M:C
Art der Ware:NAND-Flash
Speichergröße:4 Tbit
Min Bestellmenge:10
Verpackung Informationen:Standardpaket
Lieferzeit:3-5 Arbeitstage
Min Bestellmenge:10
Verpackung Informationen:Standardpaket
Lieferzeit:3-5 Arbeitstage
Min Bestellmenge:10
Verpackung Informationen:Standardpaket
Lieferzeit:3-5 Arbeitstage
Teilnummer:MT2F768M32D2DS-023 AUT:C
Speichergröße:24 Gbit
Datenbusbreite:Bit 32
Teilnummer:USE-Funktionär
Speicheroberfläche:LVSTL
Gedächtnisorganisation:3G x 32
Teilnummer:MT2F1G32D4DS-031 WT:B
Versorgungsspannung - Max:1,05 V
Speicheroberfläche:Parallel
Teilnummer:MT2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F2F
Versorgungsspannung - Min:1.7 V
Versorgungsspannung - Max:1,95 V