China Speicher-IC-Chip

63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung G NAND Flash Memory IC 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G

Regelungsart:Asynchron

Versorgungs-Spannung - maximal:1,95 V
SLC NAND Flash Memory IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT: Chip 63-VFBGA f-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F4G16ABBFAH4-AAT: F

Dichte:4 GB

FBGA-Code:NX100
Chip MT29F2G08ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

Teilnummer:MT29F2G08ABBGAH4-AAT: G

Breite:Breite x8

Gedächtnisorganisation:256M x 8
Chip MT29F2G16ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: Parallele Speicherchips 63-VFBGA G 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G

Größe:9mm x 11mm

Typ der Montage:Oberflächenbefestigung
4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Speicherchips f-BLITZ NAND Memorys IC 48-TFSOP

Teilnummer:MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F

Reihe:MT29F

Montageart:SMD/SMT
NAND Flash Memory IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: Chip 132-VBGA e-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E

Datenbus-Breite:Bit 8

Produktkategorie:NAND FLASH
Chip MT29F2G08ABAGAH4-AIT der integrierten Schaltung: BLITZ G 2Gbit - NAND Memory IC

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G

Speichertypen:Nicht flüchtig

Speicherformat:Flasch
Gedächtnis IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI Chip 133 MHZ-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT25QU512ABB1EW9-0SIT

Uhrfrequenz:133 MHZ

Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:8ms, 2.8ms
Chip MT29F1G08ABAFAWP-AAT der integrierten Schaltung: Parallelspeicher IC F 1Gbit

Teilnummer:MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F

Gedächtnis:1Gbit

Gedächtnisorganisation:128M x 8
Chip MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI der integrierten Schaltung 133 MHZ-Gedächtnis IC

Teilnummer:MT25QL512ABB8ESF-0SIT

Speichertypen:Nicht flüchtig

Speicherformat:Flasch
IC-Chip MT29F8G08ABACAWP-AIT: IC-Oberflächen-Berg Gedächtnis 48-TSOP C 8Gbit paralleler

Teilnummer:MT29F8G08ABACAWP-AIT: C

Regelungsart:Asynchron

Organisation:1 G x 8
IC-Chip MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: Parallelspeicher IC 132-VBGA E 267MHz 512Gbit

Teilnummer:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E

Regelungsart:Asynchron, synchron

Geschwindigkeit:533 MT/s

Page 190 of 203|< << 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 >> >|

Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung G NAND Flash Memory IC 2Gbit

SLC NAND Flash Memory IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT: Chip 63-VFBGA f-integrierter Schaltung

Chip MT29F2G08ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

Chip MT29F2G16ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: Parallele Speicherchips 63-VFBGA G 2Gbit

4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Speicherchips f-BLITZ NAND Memorys IC 48-TFSOP

NAND Flash Memory IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: Chip 132-VBGA e-integrierter Schaltung

Chip MT29F2G08ABAGAH4-AIT der integrierten Schaltung: BLITZ G 2Gbit - NAND Memory IC

Gedächtnis IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI Chip 133 MHZ-integrierter Schaltung

Chip MT29F1G08ABAFAWP-AAT der integrierten Schaltung: Parallelspeicher IC F 1Gbit

Chip MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI der integrierten Schaltung 133 MHZ-Gedächtnis IC

IC-Chip MT29F8G08ABACAWP-AIT: IC-Oberflächen-Berg Gedächtnis 48-TSOP C 8Gbit paralleler

IC-Chip MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: Parallelspeicher IC 132-VBGA E 267MHz 512Gbit

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver