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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Speicher-IC Chip MT62F512M64D4EK-031 AUT:B 3,2 GHz SDRAM Mobil LPDDR5 Speicher-IC

Teilnummer:MT2F512M64D4EK-031 AUT:B

Betriebstemperatur:-40 °C bis 125 °C

Speichergröße:32Gbit
Speicher-IC-Chip MT46H16M32LFB5-6 AIT:C 512Mbit Parallel 166 MHz 5 ns LPDDR-Speicher

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Spannung - Versorgung:1.7V ~ 1.95V

Uhrfrequenz:166 MHz
Speicher-IC-Chip MT53E1G16D1FW-046 AAT:A SDRAM Mobile 16Gbit Parallel 2,133 GHz Speicher

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Minimale Betriebstemperatur::- 40 °C

Maximale Betriebstemperatur::+ 105 °C
Speicher-IC Chip MT53E128M32D2DS-046 AIT:A LPDDR4 4Gbit 2,133 GHz Speicher-IC

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Speichergröße:4Gbit

Gedächtnisorganisation:128M x 32
Speicher-IC-Chip MT53E256M16D1FW-046 AIT:B SDRAM Mobile LPDDR4 4Gbit Speicher-IC

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Spannung - Versorgung:1.1V

Betriebstemperatur:-40 °C bis 95 °C (TC)
Speicher-IC Chip MT53E1536M32D4DE-046 AIT:B 48Gbit Parallel SDRAM Mobilspeicher-IC

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Speicherformat:DRAM

Speichergröße:48 Gbit
Speicher-IC-Chip MT53E256M32D2DS-053 AUT:B 8Gbit 1.866 GHz SDRAM - Mobilspeicher

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Speicherkapazität::8 Gbit

Datenbus-Breite::Bit 32
Speicher-IC-Chip MT62F512M32D2DS-031 WT:B 16Gbit Parallel 3,2 GHz LPDDR5 Speicher

Teilnummer:GEWICHT MT62F512M32D2DS-031: B

Speichertypen:Flüchtig

Speicherformat:DRAM
Speicher-IC Chip MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C 208 MHz 5 ns SDRAM Mobilspeicher-IC

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Uhrfrequenz:208 MHz

Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:14.4ns
Speicher-IC Chip MT53E256M16D1FW-046 AAT:B 4Gbit Parallel SDRAM Mobilspeicher-IC

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Zulassung:Automobilindustrie

Spannung - Versorgung:1.06V | 1.17V
Speicher-IC Chip MT53E2G32D4DE-046 AAT:A 64Gbit Parallel SDRAM Mobilspeicher

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Speichergröße:64Gbit

Speicheroberfläche:Parallel
Speicher-IC Chip MT53E1536M32D4DE-046 WT:B 48Gbit Parallel SDRAM Mobilspeicher-IC

Teilnummer:USE Gefahrenabweichung

Speichertypen:Flüchtig

Technologie:SDRAM - Bewegliches LPDDR4X

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Speicher-IC-Chip MT46H16M32LFB5-6 AIT:C 512Mbit Parallel 166 MHz 5 ns LPDDR-Speicher

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Speicher-IC Chip MT53E128M32D2DS-046 AIT:A LPDDR4 4Gbit 2,133 GHz Speicher-IC

Speicher-IC-Chip MT53E256M16D1FW-046 AIT:B SDRAM Mobile LPDDR4 4Gbit Speicher-IC

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Speicher-IC-Chip MT53E256M32D2DS-053 AUT:B 8Gbit 1.866 GHz SDRAM - Mobilspeicher

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Speicher-IC Chip MT53E256M16D1FW-046 AAT:B 4Gbit Parallel SDRAM Mobilspeicher-IC

Speicher-IC Chip MT53E2G32D4DE-046 AAT:A 64Gbit Parallel SDRAM Mobilspeicher

Speicher-IC Chip MT53E1536M32D4DE-046 WT:B 48Gbit Parallel SDRAM Mobilspeicher-IC

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