China Chip der integrierten Schaltung

einzelne IGBTs IXYH55N120A4 getrennte Halbleiter-Transistoren 1200V 175A

Teilnummer:IXYH55N120A4

IGBT-Art:Pint

Produktstatus:Aktiv
Chip einzelne des IGBTs-Transistor-Oberflächenberg-IXYA20N120A4HV TO-263-3 IC

Teilnummer:IXYA20N120A4HV

Stückgewicht:2,500 g

Eingegebene Art:Standard
Hochspannung integrierten Schaltung der IGBTs-Transistor-IXYH16N250CV1HV TO-247-3 des Chip-2500V

Teilnummer:IXYH16N250CV1HV

Toreingangswiderstand:5.8Ω

Festgeklemmte induktive Belastung:1500V
Chip der integrierten Schaltung der Transistor-650V einzelner IGBTs IXXX140N65B4H1 der Transistor-TO-247-3

Teilnummer:IXXX140N65B4H1

Produkt-Art:IGBT-Transistoren

PD - Verlustleistung:1,2 Kilowatt
BERG der integrierten Schaltung Oberflächendes chip-IXBT14N300HV einzelne IGBTs-Transistoren

Teilnummer:IXBT14N300HV

PD - Verlustleistung:200 W

Technologie:Si
Transistoren TO-220-3 10kHz einzelnes IGBTs der integrierten Schaltung des Chip-IXYP60N65A5 650V IGBT

Teilnummer:IXYP60N65A5

Reihe:XPT™, GenX5™

Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:1.35V @ 15V, 36A
Der Transistor-RGT40TS65DGC13 IGBT Chip der integrierten Schaltung Graben-Feld-des Endto-247-3

Teilnummer:RGT40TS65DGC13

PD - Verlustleistung:144 W

Dioden-Vorwärtsstrom (TC = 25°C):35A
Einzelne IGBT-Transistoren IXYX40N250CHV TO-247-3 durch Chip der Loch-integrierten Schaltung

Teilnummer:IXYX40N250CHV

Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm):380 A

Zugeschaltete Energie:11.7mJ (an), 6.9mJ (weg)
Elektronische einzelne IGBT Transistoren der integrierten Schaltungen IXYA30N120A4HV 106A

Teilnummer:IXYA30N120A4HV

Konfiguration:Einzeln

PD - Verlustleistung:500 W
Elektronische integrierte Schaltungen IXYX50N170C 1700V 178A 1500W durch Loch-Transistoren

Teilnummer:IXYX50N170C

Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):178 A

Gegenwärtig - Kollektor pulsiert (Icm):460 A
Einzelne Transistoren integrierten Schaltung der IGBTs-Transistor-IXBK64N250 des Chip-TO-264-3

Teilnummer:IXBK64N250

Paket/Fall:TO-264-3

Konfiguration:Einzeln
Einzelner IGBTs Chip der integrierten Schaltung der Transistor-IXBX50N360HV der Transistor-TO-247-3

Teilnummer:IXBX50N360HV

Rückgenesungszeit (trr):1,7 µs

Betriebstemperatur:-55°C | 150°C (TJ)

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