China Chip der integrierten Schaltung

Energie MOSFET-N-Kanal-Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-SCTW40N120G2VAG

Teilnummer:SCTW40N120G2VAG

Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On):18V

Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:33A (Tc)
Karbid-N-Kanal-Transistoren TO-247-3 des Silikon-SCTWA30N120 durch Loch

Teilnummer:SCTWA30N120

Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:1,2 KV

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:100 mOhms
650V Silikon-Karbid MOSFET einröhriges TO-263-8 der Transistor-IMBG65R083M1HXTMA1

Teilnummer:IMBG65R083M1HXTMA1

Technologie:SIC

Befestigung von Art:SMD/SMT
N-Kanal 650V der integrierten Schaltung des Chip-IMBG65R107M1HXTMA1 MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:IMBG65R107M1HXTMA1

Reihe:CoolSIC™ M1

Fet-Art:N-Kanal
Chip TO-263-8 der integrierten Schaltung der Silikon-Karbid-Transistor-IMBG65R039M1HXTMA1

Teilnummer:IMBG65R039M1HXTMA1

RDS (ein) (@ Tj = 25°C):mΩ 39

VDS-max:650 V
N-Kanal-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-BSZ100N06LS3GATMA1 8-PowerVDFN 60V

Teilnummer:BSZ100N06LS3GATMA1

QG (Art @10V):34 nC

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):60 V
N-Kanal-Energie MOSFETs-Transistoren 8-PowerTDFN der Transistor-BSC004NE2LS5ATMA1

Teilnummer:BSC004NE2LS5ATMA1

Paket:SuperSO8 5x6

QG (Art @4.5V):135 nC
Chip der integrierten Schaltung des N-Kanal-BSC100N06LS3GATMA1 des Leistungstransistor-8-PowerTDFN

Teilnummer:BSC100N06LS3GATMA1

QG (Art @10V):2600 PF

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):200 A
GRAD MOSFETs-Transistoren TO-252-3 des N-Kanal-IPD35N10S3L26ATMA1 100V Automobil

Teilnummer:IPD35N10S3L26ATMA1

Technologie:OptiMOS™-T

RthJC (maximal):2,1 K/W
Chip 8-PowerTDFN der integrierten Schaltung der MOSFETs-30V der Transistor-BSZ100N03MSGATMA1

Teilnummer:BSZ100N03MSGATMA1

Kanal-Modus:Verbesserung

Reihe:OptiMOS 3M
Der integrierten Schaltung einzelne Transistoren des Chip-N-Kanal-650V 39A IMW65R048M1HXKSA1

Teilnummer:IMW65R048M1HXKSA1

Fet-Art:N-Kanal

Produktstatus:Aktiv
Oberflächenberg des N-Kanal-650V 21A 114W der Transistor-IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3

Teilnummer:IPB65R115CFD7AATMA1

Antriebsspannung:10V

Lassen Sie zur Quellspannung ab:650 V

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650V Silikon-Karbid MOSFET einröhriges TO-263-8 der Transistor-IMBG65R083M1HXTMA1

N-Kanal 650V der integrierten Schaltung des Chip-IMBG65R107M1HXTMA1 MOSFETs-Transistoren

Chip TO-263-8 der integrierten Schaltung der Silikon-Karbid-Transistor-IMBG65R039M1HXTMA1

N-Kanal-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-BSZ100N06LS3GATMA1 8-PowerVDFN 60V

N-Kanal-Energie MOSFETs-Transistoren 8-PowerTDFN der Transistor-BSC004NE2LS5ATMA1

Chip der integrierten Schaltung des N-Kanal-BSC100N06LS3GATMA1 des Leistungstransistor-8-PowerTDFN

GRAD MOSFETs-Transistoren TO-252-3 des N-Kanal-IPD35N10S3L26ATMA1 100V Automobil

Chip 8-PowerTDFN der integrierten Schaltung der MOSFETs-30V der Transistor-BSZ100N03MSGATMA1

Der integrierten Schaltung einzelne Transistoren des Chip-N-Kanal-650V 39A IMW65R048M1HXKSA1

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