China Chip der integrierten Schaltung

INA128UA Integrierter Schaltkreislauf Chip Präzision Niedrigleistungsinstrumentation Verstärker

Teilnummer:INA128UA

Zahl von Kanälen::1 Kanal

3 dB Bandbreite::200 kHz
Integrierter Schaltkreislauf Chip LM5168PDDAR 300mA Gleichspannungs- Gleichspannungswandler mit Fly-Buck-Fähigkeit

Min Bestellmenge:10

Preis:Contact for Sample

Verpackung Informationen:Standardpaket
Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-IPB180P04P403ATMA2 des P-Kanal-40V 180A

Teilnummer:IPB180P04P403ATMA2

Vgs (maximal):±20V

Betriebstemperatur:-55°C | 175°C (TJ)
N-Kanal-Oberflächen-Berg-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-IPL60R225CFD7AUMA1

Teilnummer:IPL60R225CFD7AUMA1

Zahl von Kanälen:1 Kanal

Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:600 V
Chip IPT004N03LATMA1 der integrierten Schaltung Paket MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF

Teilnummer:IPT004N03LATMA1

Fet-Art:N-Kanal

Technologie:MOSFET (Metalloxid)
Oberflächenc$n-kanal des berg-BSC050N10NS5ATMA1 100V einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:BSC050N10NS5ATMA1

Verlustleistung:3W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur:-55°C | 175°C (TJ)
Einzelner Chip der integrierten Schaltung des N-Kanal-NVHL040N120SC1 sic der Leistungstransistor-1200V

Teilnummer:NVHL040N120SC1

Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:4,3 V

PD - Verlustleistung:348 W
Elektronische N-Kanal 8A der integrierten Schaltungen IPP60R065S7XKSA1 MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:IPP60R065S7XKSA1

Fet-Art:N-Kanal

Produktstatus:Aktiv
Getrennte Halbleiter-Produkte IPDQ60R040S7XTMA1 MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:IPDQ60R040S7XTMA1

Technologie:Si

Kanäle:1
Elektronische Transistor-Oberflächenberg der integrierten Schaltungen IPDQ60R022S7XTMA1

Teilnummer:IPDQ60R022S7XTMA1

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:4.5V @ 1.44mA

Betriebstemperatur:-55°C | 150°C (TJ)
IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

Teilnummer:NTH4L020N090SC1

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)

Fet-Art:N-Kanal
N-Kanal-Transistoren des IC-Chip-NVBLS001N06C 60V 51A Oberflächenberg-8-HPSOF

Teilnummer:NVBLS001N06C

Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:422 A

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 175 C

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Oberflächenc$n-kanal des berg-BSC050N10NS5ATMA1 100V einzelne MOSFETs-Transistoren

Einzelner Chip der integrierten Schaltung des N-Kanal-NVHL040N120SC1 sic der Leistungstransistor-1200V

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