China Chip der integrierten Schaltung

Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-NTHL080N120SC1A des N-Kanal-1200V 31A

Teilnummer:NTHL080N120SC1A

RDS an:110mOhm

Vgs:4.3V
Transistoren Chip Integrated Circuits NVH4L022N120M3S N-Kanal-1200V 68A

Teilnummer:NVH4L022N120M3S

Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:68A (Tc)

Antriebsspannung:18V
Elektronische MOSFETs-N-Kanal-Transistoren der integrierten Schaltungen NTBLS1D1N08H

Teilnummer:NTBLS1D1N08H

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:11200 PF @ 40 V
Chip Integrated Circuit NTBG080N120SC1 MOSFET-Silikon-Karbid-Transistoren

Teilnummer:NTBG080N120SC1

Drain−to−Source-Spannung:1200 V

Gate−to−Source-Spannung:−15/+25 V
Oberflächentransistoren des NTTFD4D0N04HLTWG Mosfet-Reihen-40V 15A berg-12-WQFN

Teilnummer:NTTFD4D0N04HLTWG

Technologie:MOSFET (Metalloxid)

Konfiguration:N-Kanal 2 (Doppel)
Sic N-Kanal 1200V 60A 348W MOSFET NTHL040N120SC1 durch Loch TO-247-3

Teilnummer:NTHL040N120SC1

Fet-Art:N-Kanal

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)
Chip NVMTS0D7N04CTXG der integrierten Schaltung MOSFET – Energie-einzelner N-Kanal 40 V 0.67m 420A

Teilnummer:NVMTS0D7N04CTXG

Produkt-Kategorie:MOSFET

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:0.67mOhm @ 50A, 10V
Durch Halbleiter-Transistoren des Loch-NVHL060N090SC1 getrennte des N-Kanal-TO-247-3

Teilnummer:NVHL060N090SC1

Nulltorspannungs-Abflussstrom:100 MA

Gate−to−Source-Durchsickern-Strom:±1 MA
N-Kanal-Transistoren TO-220-3 der integrierten Schaltung des Chip-NTP055N65S3H durch Loch

Teilnummer:NTP055N65S3H

Typische Einschaltverzögerungs-Zeit:30 ns

Reihe:SuperFET® III
Einzelne N-Kanal-Transistoren NTMFS0D9N03CGT1G-Silikon-Karbid-Energie MOSFET

Teilnummer:NTMFS0D9N03CGT1G

Pulsierter Abflussstrom:900 A

Junction−to−Case – ausgeglichene Lage:1,0 °C/W
Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-FDBL9403-F085T6 einzelne N-Kanal-Transistoren

Teilnummer:FDBL9403-F085T6

Quellstrom:330 A

Eingegebene Kapazitanz:6985 PF
Silikon-Karbid-einzelne N-Kanal-Transistoren IC-Chip-NTMFS5C628NT1G 5-DFN

Teilnummer:NTMFS5C628NT1G

Turn−off-Verzögerungs-Zeit:25 ns

Vorwärtsdioden-Spannung:1.2V

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