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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-FBGA der integrierten Schaltung 200MHz des Chip-S27KL0642GABHA020

Teilnummer:S27KL0642GABHA020

Art der Ware:DRAM

Packung / Gehäuse:24-VBGA
Gedächtnis ICs 24-VBGA IC der Speicherchip-S70KS1283GABHV023 128Mbit Pseudo-SRAM Chips

Teilnummer:S70KS1283GABHV023

Betriebstemperatur (maximal):°C 105

Betriebstemperatur (Minute):-40 °C
Pseudo-SRAM Chip integrierten Schaltung 64Mbit der Speicherchip-S27KS0643GABHV023 24-VBGA

Teilnummer:S27KS0643GABHV023

Größe:6mm x 8mm

Spannung - Versorgung:1.7V | 2V
Speicher-IC-Chip S80KS2562GABHA020 Integrierte Schaltkreis-Chip-Oberfläche-Mount PSRAM-IC

Teilnummer:S80KS2562GABHA020

Datenbus:8 Bit

Schnittstellenunterstützung:1,8 V
Speicher-IC Chip S80KS5122GABHB023 24-VBGA Oberflächenmontage 200MHz Pseudo-SRAM-IC

Teilnummer:S80KS5122GABHB023

Optionale Differenzzeituhr:12 Bussignale

Eingewickelte gesprengte Längen:16 Bytes
Speicher-IC-Chip S27KS0643GABHA020 64Mbit Pseudo-SRAM-Speicher-IC 24-FBGA

Teilnummer:S27KS0643GABHA020

Schnittstellen:xSPI (Oktal)

Maximale Taktfrequenz:200 MHz
Speicher-IC-Chip 128Mb S70KL1282GABHV020 PSRAM-IC Hyperbus 200MHz 35ns 24-FBGA

Teilnummer:S70KL1282GABHV020

Reihe:HyperRAM™ Kiloliter

Speichertypen:Flüchtig
Gedächtnis IC Chip Surface Mounts PSRAM der integrierten Schaltung S80KS2563GABHB020

Teilnummer:S80KS2563GABHB020

Gedächtnisorganisation:32M x 8

Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:35ns
D-RAM HyperRAM ICs 128Mbit 200MHz Gedächtnis S70KS1283GABHA023 PSRAM

Teilnummer:S70KS1283GABHA023

Schnittstellen-Bandbreite:400 MByte/s

Schnittstellen-Frequenz (SDR/DDR) (MHZ):- /200
Gedächtnis IC 64Mbit HyperBus S27KS0642GABHV023 IC Chip Pseudo SRAM 200 MHZ

Teilnummer:S27KS0642GABHV023

Speichergröße:4Mbit

Technologie:D-RAM 38-nm
Speicher-IC-Chip S27KL0642GABHI033 Pseudo-SRAM-Speicher-IC 200MHz FBGA24-IC-Chips

Teilnummer:S27KL0642GABHI033

Schnittstellen:HyperBus

Tiefes Abschaltung (CS# = VCC = 2,0 V, 105°C):µA 12
Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen S70KL1282GABHB033 elektronisches Pseudo-SRAM 128Mbit

Teilnummer:S70KL1282GABHB033

Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.

Schnittstellenunterstützung:1.8V

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Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen S70KL1282GABHB033 elektronisches Pseudo-SRAM 128Mbit

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