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Teilnummer:S26HS512TGABHI000
Wegsteuerspuren (SCK und CS#):≤ 4 NH
Gedächtnis-Schnittstelle:SPI-Schnittstelle
Teilnummer:S28HS512TGABHV013
Gedächtnis-Art:Permanent
Seitenprogrammierungspuffer:256 oder 512 Bytes
Teilnummer:MT25QU02GCBB8E12-0AUT
Dichte:2GB
OP. Temp.:-40°C zu +125°C
Teilnummer:S26HS512TGABHM003
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:1.7ms
Zugriffszeit:5,45 ns
Teilnummer:MT28EW01GABA1HJS-0AAT
Speicherorganisation:128M x 8, 64M x 16
Speicherkapazität:1Gbit
Teilnummer:S26KS512SDPBHN020
Versorgungs-Spannung - Minute:1,7 V
Zugriffszeit:96 ns
Teilnummer:S26HL512TFPBHB000
Technologie:BLITZ - NOCH (SLC)
Sdr-Wahlläufe:Bis zu 21-MBps
Teilnummer:S26HL01GTFPBHM020
Speicheroberfläche:HyperBus
Speichergröße:1Gbit
Teilnummer:S26KS512SDPBHV020
Direkte gelesene Latenz der Initiale:5 bis 16 Taktzyklen
Regelungsart:Synchron