Teilnummer:S70FL01GSDPMFI010
Cmos-Kern:3,0 v
Programmierung:1,5 Mbytes/s
Teilnummer:S25FL256SAGBHIA13
Löschen:0,5 bis 0,65 MBps
Programmieren:1.5 MBps
Teilnummer:S25FL064LABMFM013
Dichte:64 MBit
Einzelne Versorgungsspannung mit CMOS-Input/Output:2,7 V bis 3,6 V
Teilnummer:MT28EW128ABA1LPC-0SIT
Speicheroberfläche:Parallel
Dichte:128 MB
Teilnummer:MT25QU512ABB8ESF-0AAT
Mindestbetriebstemperatur:- 40 °C
Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 105 C
Teilnummer:MT25QL01GBBB8E12-0SIT
Stiftbelegung:ZURÜCKSTELLEN und GRIFF
Spezielle Wahlen:Standards
Teilnummer:USE Gefahrenabweichung
VCC:2.7-3.6V
Seitenzugang:20ns
Teilnummer:MT25QU01GBBB8E12-0SIT
Seitengröße:16 Wörter oder 32 Bytes
VCCQ:1,65 V
Teilnummer:MT25QL01GBBB8E12-0AAT
Schnittstelle:SPI
Organisation:128 M x 8
Teilnummer:MT25QL512ABB1EW9-0SIT
Sektor-Löschen:64kB
Schreibzyklus-Zeit:Schreibzyklus-Zeit
Teilnummer:MT25QL256ABA1EW9-0SIT
Uhrfrequenz:133 MHZ
Dichte:256MB
Teilnummer:MT25QU02GCBB8E12-0AAT
Gerätstapeln:4 sterben gestapelt
Daten-Zurückhalten:20 Jahre (ART)