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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Speicher-IC Chip S70KS1282GABHA023 200MHz Pseudo-SRAM-Speicher-IC 24-FBGA

Teilnummer:S70KS1282GABHA023

Versorgungs-Spannung (Minute):1.7V

Betriebstemperatur (Minute):-40°C (TA)
Pseudo-SRAM Gedächtnis IC der integrierten Schaltung S80KS2562GABHA023 des Chip-24-VBGA 256Mbit

Teilnummer:S80KS2562GABHA023

Technologie:D-RAM 25-nm

Betriebstemperaturbereich - industriell plus (V):– °C 40 zu °C +105
Speicherchips 24-FBGA der integrierten Schaltung S70KS1282GABHV020 des Chip-128Mbit PSRAM

Teilnummer:S70KS1282GABHV020

Versorgungs-Strom - maximal:60 MA

Zugriffszeit:35 ns
Speicher-IC-Chip S70KL1283GABHV020 128Mbit Pseudo-SRAM-Speicher-IC 24-FBGA-IC-Chips

Teilnummer:S70KL1283GABHV020

Führungs-Ball-Ende:N/A

Schnittstellen:xSPI (Oktal)
Speicher-IC-Chip S27KS0642GABHB020 24-FBGA Pseudo-SRAM-Speicher-IC 200MHz

Teilnummer:S27KS0642GABHB020

Gedächtnisorganisation:8M x 8

Schnittstellen-Bandbreite:400 MByte/s
Gedächtnis IC 24-FBGA der integrierten Schaltung S27KS0643GABHA023 des Chip-PSRAM

Teilnummer:S27KS0643GABHA023

Höchstrückflut Temp:°C 260

Speicheroberfläche:SPI - Oktal-Input/Output
S70KL1282GABHB020 IC bricht Pseudo-SRAM Oberflächenberg ICs 24-FBGA Gedächtnis 128Mbit ab

Teilnummer:S70KL1282GABHB020

Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:35ns

Schnittstellenunterstützung:1,8 V/3,0 V
Pseudo-Paket SRAM-Gedächtnis ICs 64Mbit HyperBus S27KL0642GABHI030 24-FBGA

Teilnummer:S27KL0642GABHI030

Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)

Speichertypen:Flüchtig
S80KS2563GABHM023 IC brechen Automobil-PSRAM Gedächtnis IC 256MBit 1.8V in 24 FBGA ab

Teilnummer:S80KS2563GABHM023

Produktkategorie:DRAM

Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)
SRAM - Synchrones CY7C1441KV33-133AXI SDR-Gedächtnis IC 36Mbit paralleles 133MHz

Teilnummer:CY7C1441KV33-133AXI

Zugriffszeit:6,5 ns

Spannung - Versorgung:3.135V | 3.6V
Elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM

Teilnummer:S70KS1283GABHB020

Bussignale:11

Datenbus:8 Bit
Asynchrones MT29F2G08ABAGAWP-ITE: Paralleler BLITZ NAND Memory IC 48-TFSOP G 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAWP-ITE: G

Gelegentliches Lesen:25µs

Seitenprogramm:300µs (ART)

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Speicher-IC Chip S70KS1282GABHA023 200MHz Pseudo-SRAM-Speicher-IC 24-FBGA

Pseudo-SRAM Gedächtnis IC der integrierten Schaltung S80KS2562GABHA023 des Chip-24-VBGA 256Mbit

Speicherchips 24-FBGA der integrierten Schaltung S70KS1282GABHV020 des Chip-128Mbit PSRAM

Speicher-IC-Chip S70KL1283GABHV020 128Mbit Pseudo-SRAM-Speicher-IC 24-FBGA-IC-Chips

Speicher-IC-Chip S27KS0642GABHB020 24-FBGA Pseudo-SRAM-Speicher-IC 200MHz

Gedächtnis IC 24-FBGA der integrierten Schaltung S27KS0643GABHA023 des Chip-PSRAM

S70KL1282GABHB020 IC bricht Pseudo-SRAM Oberflächenberg ICs 24-FBGA Gedächtnis 128Mbit ab

Pseudo-Paket SRAM-Gedächtnis ICs 64Mbit HyperBus S27KL0642GABHI030 24-FBGA

S80KS2563GABHM023 IC brechen Automobil-PSRAM Gedächtnis IC 256MBit 1.8V in 24 FBGA ab

SRAM - Synchrones CY7C1441KV33-133AXI SDR-Gedächtnis IC 36Mbit paralleles 133MHz

Elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen S70KS1283GABHB020 200MHz 35ns PSRAM

Asynchrones MT29F2G08ABAGAWP-ITE: Paralleler BLITZ NAND Memory IC 48-TFSOP G 2Gbit

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