Teilnummer:MT28EW512ABA1LJS-0SIT
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:60ns
Zugriffszeit:95 ns
Teilnummer:MT62F2G64D8CZ-023 FAAT: C
VDD1:1.70-1.95V; ART 1.80V
Organisation:2 G x 64
Teilnummer:MT25QU01GBBB1EW9-0SIT
Löschenleistung:80KB/sec
Dichte:1 GB
Teilnummer:MT62F768M64D4EK-023 FAAT: C
Maximale Bandbreite pro Kanal:17,1 GB/s
Organisation:768 M x 64
Teilnummer:MT62F768M64D4EK-023 AUT: C
Speicheroberfläche:Parallel
Versorgungs-Spannung - maximal:1,95 V
Teilnummer:MT25QU01GBBB8ESF-0AAT
Gedächtnis:1Gbit
Organisation:128M x 8
Teilnummer:MT25QU256ABA8ESF-0SIT
Schnittstellentyp:SPI
Versorgungs-Spannung - maximal:2 V
Teilnummer:MT60B2G8HB-48B:
Gedächtnisorganisation:2G x 8
Speicherformat:DRAM
Teilnummer:S25FL256LAGNFB010
Speichergröße:256 Mbit
Uhrfrequenz:133 MHZ
Teilnummer:S25FL256SAGNFI000
Speichertypen:NOCH
Stückgewicht:mg 11
Teilnummer:CY14V101QS-BK108XI
Speicherformat:NVSRAM
Speichergröße:1Mbit
Teilnummer:S25FL512SDPMFVG10
Schnittstellentyp:SPI
Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.