China Speicher-IC-Chip

IC-Chip MT29F8G08ABACAWP-AIT: IC-Oberflächen-Berg Gedächtnis 48-TSOP C 8Gbit paralleler

Teilnummer:MT29F8G08ABACAWP-AIT: C

Regelungsart:Asynchron

Organisation:1 G x 8
IC-Chip MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: Parallelspeicher IC 132-VBGA E 267MHz 512Gbit

Teilnummer:MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E

Regelungsart:Asynchron, synchron

Geschwindigkeit:533 MT/s
Elektronische integrierte Schaltungen MT28EW01GABA1LPC-0 SIT Memory IC 64-LBGA

Teilnummer:MT28EW01GABA1LPC-0SIT

Gedächtnis:1Gbit

Speicheroberfläche:Parallel
IC-Chip MT29F2G08ABAGAWP-AAT: Paralleler 20NS 48-TSOP Flash-Speicher IC G 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G

Spannung - Versorgung:2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur:-40 °C bis 105 °C (TA)
Chip MT29F2G16ABAGAWP-AIT der integrierten Schaltung: G NAND Flash Memory IC 48-TFSOP

Teilnummer:MT29F2G16ABAGAWP-AIT: G

Löschenblock:2 ms

Befehlssatz:ONFI NAND Flash Protocol
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: Ein IC-Oberflächen-Berg Gedächtnis 256Gbit 100MHz 100-LBGA

Teilnummer:MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:

Uhrfrequenz:100 MHz

Gedächtnis:256Gbit
Chip MT29F2T08EMLEEJ4-R der integrierten Schaltung: Parallelspeicher IC 132-VBGA E 2Tbit

Teilnummer:MT29F2T08EMLEEJ4-R: E

Gedächtnisorganisation:256G x 8

Speicheroberfläche:Parallel
Oberflächenberg MT29F2T08EMLEEJ4-T der integrierten Schaltung des Chip-132-VBGA: E-Gedächtnis IC

Teilnummer:MT29F2T08EMLEEJ4-T: E

Datenbus-Breite:Bit 8

Organisation:256 G x 8
Elektronische integrierte Schaltungen MT29F4T08EULEEM4-T: E-BLITZ - NAND Memory IC

Teilnummer:MT29F4T08EULEEM4-T: E

Typ der Montage:Oberflächenbefestigung

Betriebstemperatur:0°C bis 70°C
Chip MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI der integrierten Schaltung 133 MHZ-Gedächtnis IC

Teilnummer:MT25QL02GCBB8E12-0AAT

Löschenleistung:80KB/sec

Subsektor:4KB
MT29F2G01ABBGD12-AAT: Oberflächenberg ICs 24-T-PBGA Gedächtnis G 2Gbit SPI 83MHz

Teilnummer:MT29F2G01ABBGD12-AAT: G

Speichergröße:2Gbit

Speicheroberfläche:SPI
Berg MT29F1T08EELEEJ4-R der Oberflächen-1Tbit paralleler 132-VBGA: E NAND Memory IC

Teilnummer:MT29F1T08EELEEJ4-R: E

Technologie:BLITZ - NAND (TLC)

Spannung - Versorgung:2.6V | 3.6V

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

IC-Chip MT29F8G08ABACAWP-AIT: IC-Oberflächen-Berg Gedächtnis 48-TSOP C 8Gbit paralleler

IC-Chip MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: Parallelspeicher IC 132-VBGA E 267MHz 512Gbit

Elektronische integrierte Schaltungen MT28EW01GABA1LPC-0 SIT Memory IC 64-LBGA

IC-Chip MT29F2G08ABAGAWP-AAT: Paralleler 20NS 48-TSOP Flash-Speicher IC G 2Gbit

Chip MT29F2G16ABAGAWP-AIT der integrierten Schaltung: G NAND Flash Memory IC 48-TFSOP

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ: Ein IC-Oberflächen-Berg Gedächtnis 256Gbit 100MHz 100-LBGA

Chip MT29F2T08EMLEEJ4-R der integrierten Schaltung: Parallelspeicher IC 132-VBGA E 2Tbit

Oberflächenberg MT29F2T08EMLEEJ4-T der integrierten Schaltung des Chip-132-VBGA: E-Gedächtnis IC

Elektronische integrierte Schaltungen MT29F4T08EULEEM4-T: E-BLITZ - NAND Memory IC

Chip MT25QL02GCBB8E12-0AAT 2Gbit SPI der integrierten Schaltung 133 MHZ-Gedächtnis IC

MT29F2G01ABBGD12-AAT: Oberflächenberg ICs 24-T-PBGA Gedächtnis G 2Gbit SPI 83MHz

Berg MT29F1T08EELEEJ4-R der Oberflächen-1Tbit paralleler 132-VBGA: E NAND Memory IC

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

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