China Speicher-IC-Chip

24-VBGA Oberflächengedächtnis IC des berg-S27KS0642GABHI020 64Mbit HyperBus 200MHz

Teilnummer:S27KS0642GABHI020

Gedächtnisorganisation:8M x 8

Speicheroberfläche:HyperBus
Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-VBGA der integrierten Schaltung des Chip-S70KS1283GABHB023

Teilnummer:S70KS1283GABHB023

Speicherformat:PSRAM

Speicheroberfläche:SPI - Oktal-Input/Output
IC-Chip S80KS5123GABHA020 SPI - Oktal-Gedächtnis IC Inputs/Output 200 MHZ 35 ns 24-FBGA

Teilnummer:S80KS5123GABHA020

Anfangszugriffzeit:35 ns

Bandbreite:400 MByte/s
S27KL0642GABHI020 Chip 24FBGA der integrierten Schaltung 64Mbit Chip Memory IC

Teilnummer:S27KL0642GABHI020

Uhrfrequenz:200 MHz

Zugriffszeit:35 ns
Gedächtnis IC 24-FBGA Chip Integrated Circuits S80KS2563GABHV023 200 MHZ PSRAM

Teilnummer:S80KS2563GABHV023

Taktfrequenz:1,8 V

Bereitschaft:°C 105
Gedächtnis IC 256Mbit 24FBGA Chip Pseudos SRAM der integrierten Schaltung S80KS2562GABHI020

Teilnummer:S80KS2562GABHI020

Industrielles (i):-40°C bis +85°C

Schnittstellenunterstützung:1,8 V/3,0 V
512Mbit SPI - Oktal-Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-FBGA Inputs/Output 200MHz S80KS5123GABHI020

Teilnummer:S80KS5123GABHI020

Speichergröße:512 Mbit

Maximale Taktfrequenz:200 MHz
Gedächtnis IC 24-VBGA der integrierten Schaltung des Chip-S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus

Teilnummer:S27KS0642GABHM023

Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)

Explosion las oder schreibt:30 MA
128Mbit Chip 24-VBGA Pseudo-SRAM der integrierten Schaltung des Speicherchip-S70KS1282GABHV023

Teilnummer:S70KS1282GABHV023

Schnittstellenunterstützung:1,8 V/3,0 V

Betriebstemperatur (Minute):-40°C (TA)
IC brechen Oberflächenberg-Gedächtnis IC S27KS0642GABHB023 200 MHZ 35 ns 24-FBGA ab

Teilnummer:S27KS0642GABHB023

Technologie:D-RAM 38-nm

DRAM:38-nm
Chip der integrierten Schaltung des Chip-S70KL1282GABHB030 128Mbit des Speicherchip-VBGA24 IC

Teilnummer:S70KL1282GABHB030

Eingewickelte gesprengte Längen:128 Bytes (64 Uhren)

Lineare Explosion:MB 64
Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI Oktal-Gedächtnis IC Inputs/Output 200MHz

Teilnummer:S80KS2563GABHI023

Programm:50

SDR las:50 MHz

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

24-VBGA Oberflächengedächtnis IC des berg-S27KS0642GABHI020 64Mbit HyperBus 200MHz

Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-VBGA der integrierten Schaltung des Chip-S70KS1283GABHB023

IC-Chip S80KS5123GABHA020 SPI - Oktal-Gedächtnis IC Inputs/Output 200 MHZ 35 ns 24-FBGA

S27KL0642GABHI020 Chip 24FBGA der integrierten Schaltung 64Mbit Chip Memory IC

Gedächtnis IC 24-FBGA Chip Integrated Circuits S80KS2563GABHV023 200 MHZ PSRAM

Gedächtnis IC 256Mbit 24FBGA Chip Pseudos SRAM der integrierten Schaltung S80KS2562GABHI020

512Mbit SPI - Oktal-Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-FBGA Inputs/Output 200MHz S80KS5123GABHI020

Gedächtnis IC 24-VBGA der integrierten Schaltung des Chip-S27KS0642GABHM023 64Mbit HyperBus

128Mbit Chip 24-VBGA Pseudo-SRAM der integrierten Schaltung des Speicherchip-S70KS1282GABHV023

IC brechen Oberflächenberg-Gedächtnis IC S27KS0642GABHB023 200 MHZ 35 ns 24-FBGA ab

Chip der integrierten Schaltung des Chip-S70KL1282GABHB030 128Mbit des Speicherchip-VBGA24 IC

Chip Integrated Circuit S80KS2563GABHI023 256Mbit SPI Oktal-Gedächtnis IC Inputs/Output 200MHz

Chip der integrierten Schaltung

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