China Speicher-IC-Chip

Chip MT29F4G08ABADAWP-AATX der integrierten Schaltung: D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

Teilnummer:MT29F4G08ABADAWP-AATX: D

Versorgungs-Strom - maximal:35 MA

Datenbus-Breite:Bit 8
Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX der integrierten Schaltung: Parallele Flash-Speicher-Chips E 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G08ABBEAH4-AITX: E

Art der Ware:NAND-Flash-Speicher

Organisation:256 M x 8
63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung G NAND Flash Memory IC 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBGAH4-AIT: G

Regelungsart:Asynchron

Versorgungs-Spannung - maximal:1,95 V
SLC NAND Flash Memory IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT: Chip 63-VFBGA f-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F4G16ABBFAH4-AAT: F

Dichte:4 GB

FBGA-Code:NX100
Chip MT29F2G08ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

Teilnummer:MT29F2G08ABBGAH4-AAT: G

Breite:Breite x8

Gedächtnisorganisation:256M x 8
Chip MT29F2G16ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: Parallele Speicherchips 63-VFBGA G 2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G

Größe:9mm x 11mm

Typ der Montage:Oberflächenbefestigung
4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Speicherchips f-BLITZ NAND Memorys IC 48-TFSOP

Teilnummer:MT29F4G08ABAFAWP-AAT: F

Reihe:MT29F

Montageart:SMD/SMT
NAND Flash Memory IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: Chip 132-VBGA e-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: E

Datenbus-Breite:Bit 8

Produktkategorie:NAND FLASH
Chip MT29F2G08ABAGAH4-AIT der integrierten Schaltung: BLITZ G 2Gbit - NAND Memory IC

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAH4-AIT: G

Speichertypen:Nicht flüchtig

Speicherformat:Flasch
Gedächtnis IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI Chip 133 MHZ-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT25QU512ABB1EW9-0SIT

Uhrfrequenz:133 MHZ

Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:8ms, 2.8ms
Chip MT29F1G08ABAFAWP-AAT der integrierten Schaltung: Parallelspeicher IC F 1Gbit

Teilnummer:MT29F1G08ABAFAWP-AAT: F

Gedächtnis:1Gbit

Gedächtnisorganisation:128M x 8
Chip MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI der integrierten Schaltung 133 MHZ-Gedächtnis IC

Teilnummer:MT25QL512ABB8ESF-0SIT

Speichertypen:Nicht flüchtig

Speicherformat:Flasch

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip MT29F4G08ABADAWP-AATX der integrierten Schaltung: D 48-TFSOP NAND Flash Memory Chips

Chip MT29F2G08ABBEAH4-AITX der integrierten Schaltung: Parallele Flash-Speicher-Chips E 2Gbit

63-VFBGA MT29F2G16ABBGAH4-AIT: Chip integrierter Schaltung G NAND Flash Memory IC 2Gbit

SLC NAND Flash Memory IC MT29F4G16ABBFAH4-AAT: Chip 63-VFBGA f-integrierter Schaltung

Chip MT29F2G08ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: G 63-VFBGA NAND Flash Memory Chips

Chip MT29F2G16ABBGAH4-AAT der integrierten Schaltung: Parallele Speicherchips 63-VFBGA G 2Gbit

4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G08ABAFAWP-AAT: Speicherchips f-BLITZ NAND Memorys IC 48-TFSOP

NAND Flash Memory IC MT29F256G08CECEBJ4-37ITR: Chip 132-VBGA e-integrierter Schaltung

Chip MT29F2G08ABAGAH4-AIT der integrierten Schaltung: BLITZ G 2Gbit - NAND Memory IC

Gedächtnis IC MT25QU512ABB1EW9-0SIT 512Mbit SPI Chip 133 MHZ-integrierter Schaltung

Chip MT29F1G08ABAFAWP-AAT der integrierten Schaltung: Parallelspeicher IC F 1Gbit

Chip MT25QL512ABB8ESF-0SIT 512Mbit SPI der integrierten Schaltung 133 MHZ-Gedächtnis IC

Chip der integrierten Schaltung

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