China Speicher-IC-Chip

Elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen MTFC128GAZAQJP-IT 1Tbit 200MHz

Teilnummer:MTFC128GAZAQJP-IT

Paket:153-VFBGA

Speicheroberfläche:eMMC
IC-Chip MTFC128GAZAQJP-AAT 1Tbit eMMC 153-VFBGA BLITZ - NAND Memory IC

Teilnummer:MTFC128GAZAQJP-AAT

Speichergröße:1 TB

Schnittstelle:eMMC
Speicherchips MT29F4G08ABADAH4-AITX: D 63-VFBGA Automobil-NAND Flash Memory Chips

Teilnummer:MT29F4G08ABADAH4-AITX: D

Technologie:FLASH - NAND

Gedächtnisorganisation:512M x 8
Speicherchips MT29F8G01ADAFD12-AAT: F 8Gbit multiplexte NAND Flash Memory IC 24-TBGA

Teilnummer:MT29F8G01ADAFD12-AAT: F

Organisation:8G x 1

Schnittstellentyp:SPI
IC bricht MT29F4G08ABAFAH4-IT ab: F 4Gbit multiplexte NAND Flash Memory IC 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F4G08ABAFAH4-IT: F

Betriebstemperatur:-40 °C bis 85 °C (TA)

Reihe:MT29F
GRELLES NAND Memory IC MT29F8G08ADAFAH4-AAT: Chip integrierter Schaltung F 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F8G08ADAFAH4-AAT: F

Gedächtnisorganisation:1G x 8

Packung / Gehäuse:VFBGA-63
Chip MT29F4G08ABBDAH4-IT der integrierten Schaltung: Paralleler Speicherchip D VFBGA63 4Gbit

Teilnummer:MT29F4G08ABBDAH4-IT: D

Speichertypen:Nicht flüchtig

Speicheroberfläche:Parallel
Chip MT29F8G08ADADAH4-IT der integrierten Schaltung 8Gbit: D NAND Flash Memory Chip 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F8G08ADADAH4-IT: D

Programmseite:200µs (ART: 1.8V, 3.3V)

Gedächtnisorganisation:1G x 8
NAND Flash Memory IC MT29F2G16ABAGAWP-AAT: Ähnlichkeit G-integrierter Schaltung des Chip-2Gbit

Teilnummer:MT29F2G16ABAGAWP-AAT: G

Montageart:SMD/SMT

Packung / Gehäuse:TSOP-48
4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G08ABAFAH4-AAT: Chip integrierten Schaltung der f-Speicherchip-63-VFBGA

Teilnummer:MT29F4G08ABAFAH4-AAT: F

Versorgungs-Strom (maximal):35 MA

Art der Ware:NAND FLASH
SLC NAND Flash Memory Chip MT29F2G08ABAGAH4-AAT: Chip 63-VFBGA G-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F2G08ABAGAH4-AAT: G

Chipset-Bestätigung:N/A

FBGA-Code:NX020
Speicherchip MT29F4G01ABAFDWB-IT 4Gbit SPI: Chip 8-UPDFN f-integrierter Schaltung

Teilnummer:MT29F4G01ABAFDWB-IT: F

Größe:8mm x 6mm

Speicheroberfläche:SPI

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen MTFC128GAZAQJP-IT 1Tbit 200MHz

IC-Chip MTFC128GAZAQJP-AAT 1Tbit eMMC 153-VFBGA BLITZ - NAND Memory IC

Speicherchips MT29F4G08ABADAH4-AITX: D 63-VFBGA Automobil-NAND Flash Memory Chips

Speicherchips MT29F8G01ADAFD12-AAT: F 8Gbit multiplexte NAND Flash Memory IC 24-TBGA

IC bricht MT29F4G08ABAFAH4-IT ab: F 4Gbit multiplexte NAND Flash Memory IC 63-VFBGA

GRELLES NAND Memory IC MT29F8G08ADAFAH4-AAT: Chip integrierter Schaltung F 63-VFBGA

Chip MT29F4G08ABBDAH4-IT der integrierten Schaltung: Paralleler Speicherchip D VFBGA63 4Gbit

Chip MT29F8G08ADADAH4-IT der integrierten Schaltung 8Gbit: D NAND Flash Memory Chip 63-VFBGA

NAND Flash Memory IC MT29F2G16ABAGAWP-AAT: Ähnlichkeit G-integrierter Schaltung des Chip-2Gbit

4Gbit Ähnlichkeit MT29F4G08ABAFAH4-AAT: Chip integrierten Schaltung der f-Speicherchip-63-VFBGA

SLC NAND Flash Memory Chip MT29F2G08ABAGAH4-AAT: Chip 63-VFBGA G-integrierter Schaltung

Speicherchip MT29F4G01ABAFDWB-IT 4Gbit SPI: Chip 8-UPDFN f-integrierter Schaltung

Chip der integrierten Schaltung

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