China Automobil-IGBT-Module

Automobil-IGBT-Module FP200R12N3T7B11BPSA1 20 Module des mW-Fahrgestelle-Berg-IGBT

Teilnummer:FP200R12N3T7B11BPSA1

Macht- maximales:20 mW

VCEO maximal:1200 V
Transistor-Modul 1200V Automobil-IGBT Modul-DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel

Teilnummer:DF11MR12W1M1B11BPSA1

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:124nC @ 15V

Macht- maximales:20mW
Modul-Graben-Feld-Enddreiphaseninverter FP150R12N3T7PB11BPSA1 IGBT

Teilnummer:FP150R12N3T7PB11BPSA1

Produkt-Status:Aktiv

IGBT-Typ:Trench-Field-Stop
Der Hochleistungs-FS820R08A6P2 714 W Automobil-IGBT Module Fahrgestelle-des Berg-

Teilnummer:FS820R08A6P2

VCEO:750 V

Minimale Betriebstemperatur:- 40 C
Automobil-Graben-Feld-Halt der IGBT-Modul-FS950R08A6P2LB 750V IGBT Modul-870W

Teilnummer:FS950R08A6P2LB

Isolierung DCs 1sec:4.2kV

Kurzzeitige ausgedehnte Operations-Temperatur:Tvj OP = 175°C
Graben-Feld-Enddreiphaseninverter IGBT-Modul-FS770R08A6P2LB 750V 450A

Teilnummer:FS770R08A6P2LB

Konfiguration:6-Pack

PD - Verlustleistung:654 W
Automobil-des IGBT-Modul-FS200R07A1E3 790W Module 650V Graben-Feld-Endigbt

Teilnummer:FS200R07A1E3

Macht- maximales:790 W

IGBT-Typ:Trench-Field-Stop
Automobil-Module der IGBT-Modul-FS770R08A6P2B 750V 450A 654W Transistor-IGBT

Teilnummer:FS770R08A6P2B

Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:80 N-Düngung @ 50 V

Betriebstemperatur:-40°C | 150°C (TJ)
Automobil-IGBT Dreiphaseninverter 1250W IGBT der Modul-FS400R07A1E3 Modul-650V

Teilnummer:FS400R07A1E3

Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal):500 A

Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:26000 PF @ 25 V
Automobil-Graben-Feld-Enddreiphaseninverter IGBT-Modul-FS660R08A6P2FLB

Teilnummer:FS660R08A6P2FLB

Macht- maximales:W 1053

Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung:1 MA
Der Transistor-FS05MR12A6MA1B 1.2kV 200A Automobil-IGBT Module Fahrgestelle-des Berg-

Teilnummer:FS05MR12A6MA1B

Paket:Modul

Technologie:Silikon-Karbid (sic)
Automobil-IGBT-Module FS03MR12A6MA1LB Fahrgestelle-Berg Mosfet-Reihen-1.2kV 400A 20mW

Teilnummer:FS03MR12A6MA1LB

Konfiguration:Sixpack

Identifikation:400A

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Automobil-IGBT-Module

Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

China Automobil-IGBT-Module

Automobil-IGBT-Module FP200R12N3T7B11BPSA1 20 Module des mW-Fahrgestelle-Berg-IGBT

Transistor-Modul 1200V Automobil-IGBT Modul-DF11MR12W1M1B11BPSA1 2N-Channel

Modul-Graben-Feld-Enddreiphaseninverter FP150R12N3T7PB11BPSA1 IGBT

Der Hochleistungs-FS820R08A6P2 714 W Automobil-IGBT Module Fahrgestelle-des Berg-

Automobil-Graben-Feld-Halt der IGBT-Modul-FS950R08A6P2LB 750V IGBT Modul-870W

Graben-Feld-Enddreiphaseninverter IGBT-Modul-FS770R08A6P2LB 750V 450A

Automobil-des IGBT-Modul-FS200R07A1E3 790W Module 650V Graben-Feld-Endigbt

Automobil-Module der IGBT-Modul-FS770R08A6P2B 750V 450A 654W Transistor-IGBT

Automobil-IGBT Dreiphaseninverter 1250W IGBT der Modul-FS400R07A1E3 Modul-650V

Automobil-Graben-Feld-Enddreiphaseninverter IGBT-Modul-FS660R08A6P2FLB

Der Transistor-FS05MR12A6MA1B 1.2kV 200A Automobil-IGBT Module Fahrgestelle-des Berg-

Automobil-IGBT-Module FS03MR12A6MA1LB Fahrgestelle-Berg Mosfet-Reihen-1.2kV 400A 20mW

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver