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Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

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FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

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Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

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China Automobil-IGBT-Module

der Fahrgestelle-238A Automobil-IGBT Module Berg-der Transistor-MSCSM70VM10C4AG

Teilnummer:MSCSM70VM10C4AG

Konfiguration:2 n-Kanal (Phasen-Bein)

Macht- maximales:674W (Tc)
Automotive-IGBT-Module MSCDC150A170D1PAG 150A-Phasenbein-SiC-Dioden-Leistungsmodul

Teilnummer:MSCDC150A170D1PAG

Lieferanten-Gerät-Paket:D1P

Produkt:Dioden-Energie-Modul
Automobil-Transistor-Fahrgestelle-Berg IGBT-Modul-MSCSM120AM042CT6LIAG 495A

Teilnummer:MSCSM120AM042CT6LIAG

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:18100pF @ 1kV

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:1392nC @ 20V
Bein-Automobil-IGBT Module der Phasen-200A sic Dioden-Energie-des Modul-MSCDC200A120D1PAG

Teilnummer:MSCDC200A120D1PAG

Spannung - Vorwärts (Vf) (maximal) @ wenn:1,8 V bei 200 A

DC-vorderesgegenwärtiges TC = °C 95:200A
Getrennter Transistor-Fahrgestelle-Berg der Halbleiter-Modul-MSCSM120AM042CT6AG

Teilnummer:MSCSM120AM042CT6AG

Art:Phasen-Bein

Identifikation - Ununterbrochener Abfluss-Strom:495 A
Gleichrichterdiode 1200V kleidet Automobil-IGBT Modul-MSCDC450A120AG Modul 450A

Teilnummer:MSCDC450A120AG

Paket/Fall:Modul

Kapazitive totalgebühr VR = 600 V (Art):2016nC
Dioden-Phasen-Bein-Energie-Modul 700V der 1 Paar-Serienschaltungs-MSCDC450A70AG 450A sic

Teilnummer:MSCDC450A70AG

Dioden-Konfiguration:1 Paar Reihenschaltung

Befestigung der Art:Chassishalterung

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Ethernet-IC: PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196; PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch; 88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver

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