China Automobil-IGBT-Module

Automobil-Halbbrücke-Modul 1200V IGBT-Modul-FF11MR12W1M1PB11BPSA1 11mΩ

Teilnummer:FF11MR12W1M1PB11BPSA1

Reihe:CoolSiC™+

Technologie:Silikon-Karbid (sic)
Halbbrücke FF8MR12W2M1B11BOMA1 CoolSiC Automobil-IGBT Module MOSFET-Modul-1200V

Teilnummer:FF8MR12W2M1B11BOMA1

IDRM:300a

Gespeicherte Energie COSS:µJ 264
FS3L200R10W3S7FB94BPSA1 dreiniveaudes inverter-950V 70A Module Fahrgestelle-des Berg-IGBT

Teilnummer:FS3L200R10W3S7FB94BPSA1

Eingeführter Abflussstrom:15A

Input:Standard
Automobil-IGBT Module der Halbbrücke-6mΩ des Modul-FF6MR12W2M1PB11BPSA1 1200V

Teilnummer:FF6MR12W2M1PB11BPSA1

Abfluss-Quellspannung (Tvj = 25°C):1200V

Tor-Quellspannung:-10 V/20 V
Modul-Transistoren FS300R17OE4B81BPSA1 1700V 300A 20mW mittlerer Energie-IGBT

Teilnummer:FS300R17OE4B81BPSA1

Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch:1700 V

Gegenwärtig - Kollektor:300 A
Doppel-Automobil-IGBT Module 50A 20mW 1200V CoolSiC Modul-FF23MR12W1M1B11BOMA1

Teilnummer:FF23MR12W1M1B11BOMA1

Befestigung der Art:Chassishalterung

Bewerteter Widerstand (TNTC = 25°C) Art:kΩ 5,00
Automobil-IGBT-Module FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Fahrgestelle-Berg Mosfet-Reihen-1200V

Teilnummer:FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Technologie:Silikon-Karbid (sic)

Konfiguration:N-Kanal 6 (Vollbrücke)
Automobil-IGBT-Module FF6MR12KM1PHOSA1 1200V CoolSiC Modul MOSFET 2N-Channel

Teilnummer:FF6MR12KM1PHOSA1

Identifikations-nom:250A

Technologie:Silikon-Karbid (sic)
FP75R12N3T7BPSA1 IGBT Fahrgestelle-Berg des Modul-Dreiphaseninverter-1200 V

Teilnummer:FP75R12N3T7BPSA1

VCES:1200 V

Überlastungsoperation:175°C
2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 Automobil-IGBT Module 1200V Mosfet-Reihen-Modul

Teilnummer:FF3MR12KM1HOSA1

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):1200 V (1,2 kV)

Betriebstemperatur (Minute):-40°C (TJ)
Automobil-Transistor-Fahrgestelle-Berg IGBT-Modul-FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A

Teilnummer:FP15R12KE3GBPSA1

Modulleitungswiderstand:2.5mΩ

Lagertemperatur:-40 - °C 125
Automobil-IGBT-Module FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel Halbbrücke Mosfet-Reihen-1200V

Teilnummer:FP75R12N2T4BPSA1

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:2.13mOhm @ 500A, 15V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:39700pF @ 800V

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Automobil-IGBT-Module

Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

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Automobil-Halbbrücke-Modul 1200V IGBT-Modul-FF11MR12W1M1PB11BPSA1 11mΩ

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Modul-Transistoren FS300R17OE4B81BPSA1 1700V 300A 20mW mittlerer Energie-IGBT

Doppel-Automobil-IGBT Module 50A 20mW 1200V CoolSiC Modul-FF23MR12W1M1B11BOMA1

Automobil-IGBT-Module FS55MR12W1M1HB11NPSA1 Fahrgestelle-Berg Mosfet-Reihen-1200V

Automobil-IGBT-Module FF6MR12KM1PHOSA1 1200V CoolSiC Modul MOSFET 2N-Channel

FP75R12N3T7BPSA1 IGBT Fahrgestelle-Berg des Modul-Dreiphaseninverter-1200 V

2N-Channel FF3MR12KM1HOSA1 Automobil-IGBT Module 1200V Mosfet-Reihen-Modul

Automobil-Transistor-Fahrgestelle-Berg IGBT-Modul-FP15R12KE3GBPSA1 1200V 25A

Automobil-IGBT-Module FF2MR12KM1HOSA1 2N-Channel Halbbrücke Mosfet-Reihen-1200V

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver