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Automobil-IGBT-Module

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Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

China Automobil-IGBT-Module

Automobil-Fahrgestelle-Berg IGBT-Modul-FP150R12N3T7B11BPSA1 1200V 150A 20mW

Teilnummer:FP150R12N3T7B11BPSA1

Produkt-Kategorie:IGBT-Module

Vce (an) (maximal) @ Vge, IC:1.8V @ 15V, 150A
Graben-Feld-Enddreiphaseninverter 1200V 100A IGBT Modul-FP100R12N2T7B11BPSA1

Teilnummer:FP100R12N2T7B11BPSA1

Reihe:EconoPIM™ 2

IGBT-Typ:Trench-Field-Stop
2N-Channel FF6MR12W2M1B11BOMA1 Automobil-IGBT Silikon-Karbid Modul-1200V

Teilnummer:FF6MR12W2M1B11BOMA1

Befestigung der Art:Chassishalterung

Betriebstemperatur (Minute):-40°C (TJ)
Module FS45MR12W1M1B11BOMA1 20mW 6N-Channel 25A Automobil-IGBT MOSFET-Modul

Teilnummer:FS45MR12W1M1B11BOMA1

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):1200 V (1,2 kV)

Konfiguration:N-Kanal 6 (3-phasige Brücke)
Automobil-IGBT Module des Silikon-Karbid-Flächentransistor-DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

Teilnummer:DF17MR12W1M1HFB68BPSA1

Fet-Art:N-Kanal

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C:45A (Tj)
Automobil-Silikon-Karbid-Modul IGBT-Modul-DF8MR12W1M1HFB67BPSA1 2N-Channel

Teilnummer:DF8MR12W1M1HFB67BPSA1

Technologie:Silikon-Karbid (sic)

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):1200V
Automobil-IGBT Modul 2000V IGBT der Modul-DF419MR20W3M1HFB11BPSA1 Modul-60A

Teilnummer:DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

Isolierungs-Prüfspannung:3.2kV

Streuinduktanzmodul (Art):14nH
Automobil-Silikon-Karbid CoolSiC MOSFET IGBT-Modul-DF11MR12W1M1PB11BPSA1 1200V

Teilnummer:DF11MR12W1M1PB11BPSA1

Reihe:EasyPACK™

Betriebstemperatur (maximal):150°C (TJ)
Silikon-Karbid MOSFET-Module 20mW Automobil-IGBT Modul-DF23MR12W1M1B11BPSA1

Teilnummer:DF23MR12W1M1B11BPSA1

VDSS:1200V

Identifikations-nom:25A
Automobil-Module der IGBT-Modul-FF600R12ME4WB73BPSA1 600A Transistor-IGBT

Teilnummer:FF600R12ME4WB73BPSA1

Eingegebene Kapazitanz (Cies) @ Vce:37 N-Düngung @ 25 V

Input:Standard
Module des Fahrgestelle-Berg-FS150R12N2T7B15BPSA1 1200V 150A der Transistor-IGBT

Teilnummer:FS150R12N2T7B15BPSA1

Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung:µA 12

Minimale Betriebstemperatur:- 40 C
Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Teilnummer:DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Technologie:Silikon-Karbid (sic)

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):1200 V (1,2 kV)

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Automobil-IGBT Module 20mW 2N-Channel des Silikon-Karbid-DF23MR12W1M1PB11BPSA1

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver