China Chip der integrierten Schaltung

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  1200V N-Kanal-Silikon-Karbid-Energie MOSFET MOSFET SCTWA50N120 durch Loch HiP247

  Teilnummer:SCTWA50N120

  Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:52 mOhms

  Vgs - Tor-Quellspannung:- 10 V, + 25 V

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  Chip TW060N120C, Silikon-Karbid der integrierten Schaltung der S1F-N-Kanal-Transistor-TO-247-3

  Teilnummer:TW060N120C, S1F

  Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:46 nC @ 18 V

  Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:1530 PF @ 800 V

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  1200V 91A einzelner Chip der integrierten Schaltung der MOSFETs-Transistor-SCTW70N120G2V

  Teilnummer:SCTW70N120G2V

  Tor-Quellschwellen-Spannung:4,9 V

  Qg - Tor-Gebühr:150 nC

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  Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-SCT20N120AG des N-Kanal-153W durch Loch

  Teilnummer:SCT20N120AG

  RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:239mOhm @ 10A, 20V

  Vgs (maximal):+25V, -10V

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  Elektronische N-Kanal-Transistoren der integrierten Schaltungen SCTW35N65G2VAG durch Loch

  Teilnummer:SCTW35N65G2VAG

  Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:1370 PF @ 400 V

  Betriebstemperatur:-55°C | 200°C (TJ)

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  N-Kanal-Silikon-Karbid-Transistoren TW083N65C, Chip TO-247-3 S1F-integrierter Schaltung

  Teilnummer:TW083N65C, S1F

  Produkt-Kategorie:MOSFET

  Qg - Tor-Gebühr:21 nC

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  Chip TW140N120C, S1F einzelner N-Kanal der integrierten Schaltung der FETs-Transistor-TO-247-3

  Teilnummer:TW140N120C, S1F

  Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:1,2 KV

  Befestigung von Art:Durch Loch

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  Oberflächentransistoren der integrierten Schaltung des Chip-SCTH35N65G2V-7AG des berg-650V 45A

  Teilnummer:SCTH35N65G2V-7AG

  Kanal-Modus:Verbesserung

  Konfiguration:Einzeln

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  Oberflächeneinzelne Transistoren des berg-SCTH35N65G2V-7 des N-Kanal-650V 45A 208W

  Teilnummer:SCTH35N65G2V-7

  VDSS:650 V

  Antriebsspannung:18V, 20V

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  N-Kanal-Oberflächen-Berg-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-SCTH40N120G2V-7

  Teilnummer:SCTH40N120G2V-7

  Betriebstemperatur:-55°C | 175°C (TJ)

  Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:5 V

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  N-Kanal-Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-SCT10N120AG 1200V 12A

  Teilnummer:SCT10N120AG

  Minimale Betriebstemperatur:- 55 C

  Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 200 C

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  Einzelne FETs MOSFETs-Transistoren TW030N120C, Chip TO-247-3 S1F-integrierter Schaltung

  Teilnummer:TW030N120C, S1F

  Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:2925 PF @ 800 V

  Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:82 nC @ 18 V

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