China Chip der integrierten Schaltung

Der integrierten Schaltung des Chip-MSC035SMA070B4 Silikon-Karbid N-Kanal MOSFETs-TO-247-4

Teilnummer:MSC035SMA070B4

Eingegebene Kapazitanz:2010pF (Art)

Ausgangskapazität:247pF (Art)
N-Kanal der integrierten Schaltung der MOSFETs-Transistor-MSC035SMA070B des Chip-TO-247-3

Teilnummer:MSC035SMA070B

Betriebstemperatur (maximal):175°C (TJ)

Identifikation - Ununterbrochener Abfluss-Strom:77 A
Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET-Fahrgestelle-Berg SOT-227 1200V MSC080SMA120J

Teilnummer:MSC080SMA120J

Fet-Art:N-Kanal

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)
Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-MSC015SMA070S 700V

Teilnummer:MSC015SMA070S

Transistor-Polarität:N-Kanal

Zahl von Kanälen:1 Kanal
N-Kanal 700V IC-Chip-MSC015SMA070B durch Transistoren des Loch-TO-247-3

Teilnummer:MSC015SMA070B

Fet-Art:N-Kanal

Antriebsspannung:20V
TO-247-3 durch Loch IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT graben Feld-Endtransistoren

Teilnummer:IKQ120N120CS7XKSA1

IGBT-Typ:Trench-Field-Stop

Produkt-Status:Aktiv
Hochgeschwindigkeits-Graben-Feld-Halt 1200V 166A Transistor-IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT

Teilnummer:IKQ100N120CH7XKSA1

Reihe:TrenchStop™

Zugeschaltete Energie:6.7mJ (an), 2.52mJ (weg)
IC brechen Transistoren 1200V 36A 176W IKW15N120CS7XKSA1 IGBT durch Loch PG-TO247-3 ab

Teilnummer:IKW15N120CS7XKSA1

Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:1,2 kV

Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:1,65 V
Einzelne IGBT Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IKW50N65ET7XKSA1

Teilnummer:IKW50N65ET7XKSA1

Macht- maximales:273 W

Rückgenesungszeit:93 ns
Elektronische Graben-Feld-Endtransistoren der integrierten Schaltungen IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Teilnummer:IKW30N65ET7XKSA1

VCE:650 V

Lagertemperatur:-55 - °C 150
Graben-Feld-Halt TO-247-3 1200V IGBT Transistor-IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT

Teilnummer:IKW40N120CS7XKSA1

Maximale Tor-Emitter-Spannung:- 20 V, 20 V

Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:82 A
Chip integrierten Schaltung der IGBT-Transistor-650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1

Teilnummer:IKW20N65ET7XKSA1

TD (AN/AUS) @ 25°C:16ns/210ns

Testbedingung:400V, 20A, 12Ohm, 15V

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Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET-Fahrgestelle-Berg SOT-227 1200V MSC080SMA120J

Silikon-Karbid-N-Kanal-Energie MOSFET der integrierten Schaltung des Chip-MSC015SMA070S 700V

N-Kanal 700V IC-Chip-MSC015SMA070B durch Transistoren des Loch-TO-247-3

TO-247-3 durch Loch IKQ120N120CS7XKSA1 IGBT graben Feld-Endtransistoren

Hochgeschwindigkeits-Graben-Feld-Halt 1200V 166A Transistor-IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT

IC brechen Transistoren 1200V 36A 176W IKW15N120CS7XKSA1 IGBT durch Loch PG-TO247-3 ab

Einzelne IGBT Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IKW50N65ET7XKSA1

Elektronische Graben-Feld-Endtransistoren der integrierten Schaltungen IKW30N65ET7XKSA1 IGBT

Graben-Feld-Halt TO-247-3 1200V IGBT Transistor-IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT

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