China Chip der integrierten Schaltung

Einzelner Graben-Feld-Halt 1200V IGBTs-Transistor-IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT

Teilnummer:IKW40N120CH7XKSA1

IFpuls maximal:165A

Ptot (@ TA=25°C) maximal:330 W
Graben-Feld-Halt 1200 V 75 IKY50N120CH7XKSA1 IGBT ein IGBTs-Transistoren

Teilnummer:IKY50N120CH7XKSA1

Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch:1200 V

Eingegebene Art:Standard
Chip der integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-Endtransistor-IKQ75N120CS7XKSA1

Teilnummer:IKQ75N120CS7XKSA1

Maximale Tor-Emitter-Spannung:- 20 V, 20 V

Paket:TO-247-3
Paket-Oberflächenberg des N-Kanal-1700V IMBF170R450M1 der Transistor-TO-263-8

Teilnummer:IMBF170R450M1

Produkt-Status:Aktiv

Fet-Art:N-Kanal
TO-263-8 IMBG65R048M1H Silikon-Karbid MOSFETs-Transistoren 650V graben sic Energie

Teilnummer:IMBG65R048M1H

Höchstabflussstrom (maximal):99A

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:33 nC @ 18 V
IMBG65R039M1H-N-Kanal 650V MOSFETs-Transistoren graben sic Starkstromgerät

Teilnummer:IMBG65R039M1H

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C:54A (Tc)

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:51mOhm @ 25A, 18V
650V N-Kanal der Transistor-IMW65R030M1H graben sic Leistungstransistoren TO-247-3

Teilnummer:IMW65R030M1H

Fahren von Spannung:18v

Kanal-Modus:Verbesserung
1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch

Teilnummer:IMZ120R350M1H

Festpunkttor-Schwellenspannung:VGS (Th) = 4.5V

Tvj, maximal:175°C
TO-247-3 N-Kanal 650V 26A des Paket-IMW65R072M1H durch Loch-Transistoren

Teilnummer:IMW65R072M1H

Qg:22 nC

VGS:18 V
Getrennter Oberflächenberg der Halbleiter-Transistor-IMBG120R350M1H TO-263-8

Teilnummer:IMBG120R350M1H

Pulsierter KörperDiodenstrom:169 A

Kurzschlusswiderstandszeit:3 µs
SOT-563 Oberflächensynchroner Abwärtsspannungs-Regler des berg-TPS563231DRLR 3A

Teilnummer:TPS563231DRLR

Spannung - eingegeben (Minute):4.5V

Spannung - eingegeben (maximal):17V
Programmierbare Logik IC 324-LFBGA der integrierten Schaltung des Chip-XC7S50-1CSGA324C 950 Millivolt

Teilnummer:XC7S50-1CSGA324C

RAM:kbit 600

Labors:LABOR 4075

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Einzelner Graben-Feld-Halt 1200V IGBTs-Transistor-IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT

Graben-Feld-Halt 1200 V 75 IKY50N120CH7XKSA1 IGBT ein IGBTs-Transistoren

Chip der integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-Endtransistor-IKQ75N120CS7XKSA1

Paket-Oberflächenberg des N-Kanal-1700V IMBF170R450M1 der Transistor-TO-263-8

TO-263-8 IMBG65R048M1H Silikon-Karbid MOSFETs-Transistoren 650V graben sic Energie

IMBG65R039M1H-N-Kanal 650V MOSFETs-Transistoren graben sic Starkstromgerät

650V N-Kanal der Transistor-IMW65R030M1H graben sic Leistungstransistoren TO-247-3

1200V graben sic N-Kanal-Transistoren TO-247-4 MOSFET IMZ120R350M1H durch Loch

TO-247-3 N-Kanal 650V 26A des Paket-IMW65R072M1H durch Loch-Transistoren

Getrennter Oberflächenberg der Halbleiter-Transistor-IMBG120R350M1H TO-263-8

SOT-563 Oberflächensynchroner Abwärtsspannungs-Regler des berg-TPS563231DRLR 3A

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