China Chip der integrierten Schaltung

Elektronische Transistoren der integrierten Schaltungen IKQ50N120CH7XKSA1 1200V 71A

Teilnummer:IKQ50N120CH7XKSA1

Maximale Grenzschichttemperatur:175°C

Niedrige Sättigungsspannung:1,7 V
Graben-Feld-Halt IC-Chip-IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT durch Loch

Teilnummer:IKW08N120CS7XKSA1

Technologie:Si

Produkt-Kategorie:IGBT-Transistoren
Einzelne IGBT 1200V 82A Transistoren IC-Chip-IKQ75N120CH7XKSA1 durch Loch

Teilnummer:IKQ75N120CH7XKSA1

Rückgenesungszeit:149 ns

Betriebstemperatur:-40°C | 175°C (TJ)
Einzelne getrennte Halbleiter-Transistoren IGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721W

Teilnummer:IKY100N120CH7XKSA1

IGBT-Art:Graben-Feld-Halt

Tor-Gebühr:714 nC
Oberflächenberg der Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistor-SCTH60N120G2-7 TO-263-8

Teilnummer:SCTH60N120G2-7

Kanal-Modus:Verbesserung

Konfiguration:Einzeln
IC-Chip-N-Kanal 750V 56A 176W SCT4026DRHRC15 einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:SCT4026DRHRC15

Befestigung der Art:Durch Loch

Betriebstemperatur:175°C (TJ)
N-Kanal-Transistoren SCT3080ARHRC15 treiben sic Chip integrierter Schaltung MOSFET 650V an

Teilnummer:SCT3080ARHRC15

Paket/Fall:TO-247-4L

Kanal-Modus:Verbesserung
N-Kanal-Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-SCT2280KEGC11 durch Loch

Teilnummer:SCT2280KEGC11

Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:14A (Tc)

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:36 nC @ 18 V
N-Kanal treiben sic Transistoren integrierter Schaltung MOSFET SCT4062KW7TL des Chip-TO-263-8 an

Teilnummer:SCT4062KW7TL

Produkt-Kategorie:MOSFET

Fet-Art:N-Kanal
Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1

Teilnummer:IKW40N65ET7XKSA1

IGBT-Art:Graben-Feld-Halt

Zugeschaltete Energie:1.05mJ (an), 590µJ (weg)
Einzelne IGBT Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IKW50N120CH7XKSA1

Teilnummer:IKW50N120CH7XKSA1

Zugeschaltete Energie:2.33mJ (an), 1.12mJ (weg)

Eingegebene Art:Standard
N-Kanal-Silikon-Karbid-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC025SMA120B

Teilnummer:MSC025SMA120B

Produkt-Status:Aktiv

Fet-Art:N-Kanal

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Graben-Feld-Halt IC-Chip-IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT durch Loch

Einzelne IGBT 1200V 82A Transistoren IC-Chip-IKQ75N120CH7XKSA1 durch Loch

Einzelne getrennte Halbleiter-Transistoren IGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721W

Oberflächenberg der Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistor-SCTH60N120G2-7 TO-263-8

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N-Kanal-Transistoren SCT3080ARHRC15 treiben sic Chip integrierter Schaltung MOSFET 650V an

N-Kanal-Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-SCT2280KEGC11 durch Loch

N-Kanal treiben sic Transistoren integrierter Schaltung MOSFET SCT4062KW7TL des Chip-TO-263-8 an

Chip TO-247-3 650V integrierten Schaltung der IGBT-Graben-Feld-des Endikw40n65et7xksa1

Einzelne IGBT Transistoren TO-247-3 der integrierten Schaltung des Chip-IKW50N120CH7XKSA1

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