China Chip der integrierten Schaltung

magnetischer Hall Effect Sensor A31315LOLATR-XZ-S-AR-10 8-SOIC Chip integrierter Schaltung 3D

Teilnummer:A31315LOLATR-XZ-S-AR-10

Beendigungs-Art:Möven-Flügel

Betriebsbereich der Versorgung:4,5 bis 5,5 V
Chip A31315LLUBTR-XZ-S-AR-10 Hall Effect Linear Sensor 14-TSSOP der integrierten Schaltung

Teilnummer:A31315LLUBTR-XZ-S-AR-10

Spannung - Versorgung:4.5V | 5.5V

Widerstand:4,23 kOhms
Gegenwärtiger Sensor IC Hall Effect Bidirectional 8-SOIC IC-Chip-TMCS1108A4BQDRQ1

Teilnummer:TMCS1108A4BQDRQ1

Produktstatus:Aktiv

Für das Messen:AC/DC
8-SOIC Oberflächenisolierungs-Halleffekt-gegenwärtiger Sensor IC des berg-TMCS1107A3UQDRQ1

Teilnummer:TMCS1107A3UQDRQ1

Gegenwärtige Bewertung:- 2,25 A bis 21,5 A

Betriebsstoff-Spannung:5 V
Kanal-Strom-Sensoren IC 8-SOIC der integrierten Schaltung des Chip-TMCS1107A4UQDRQ1 1

Teilnummer:TMCS1107A4UQDRQ1

Betriebstemperatur:-40°C ~ 125°C (TA)

Linearitäten:±0.5%
Elektronischer Halleffekt-gegenwärtiger Sensor der integrierten Schaltungen TMCS1107A3BQDRQ1

Teilnummer:TMCS1107A3BQDRQ1

Spannung - Versorgung:3V | 5.5V

Polarisation:Bidirektional
Oberflächenberg Hall Effect Current Sensors IC des Kanal-TMCS1101A2UQDRQ1 1

Teilnummer:TMCS1101A2UQDRQ1

Linearitäten:±0.05%

Ertrag:Ratiometric, Spannung
N-Kanal einzelner Chip der integrierten Schaltung der MOSFETs-Transistor-SCT3060AW7TL

Teilnummer:SCT3060AW7TL

Lassen Sie - Quellspannung ab:650 V

Ununterbrochener Abfluss-Strom:38 A
N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-SCT3160KW7TL 17A einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:SCT3160KW7TL

Befestigung der Art:Oberflächenberg

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:42 nC @ 18 V
Treiben Automobilgrad-N-Kanal der Transistor-SCT2160KEHRC11 sic MOSFET TO-247-3 an

Teilnummer:SCT2160KEHRC11

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:62 nC @ 18 V

Vgs (maximal):+22V, -6V
BERG-Transistoren der integrierten Schaltung Oberflächendes chip-SCT3030AW7TL TO-263-7

Teilnummer:SCT3030AW7TL

Fet-Art:N-Kanal

Produktstatus:Aktiv
N-Kanal 750V 105A SCT4013DEC11 treiben sic MOSFET durch Loch TO-247N an

Teilnummer:SCT4013DEC11

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):750 V

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Gegenwärtiger Sensor IC Hall Effect Bidirectional 8-SOIC IC-Chip-TMCS1108A4BQDRQ1

8-SOIC Oberflächenisolierungs-Halleffekt-gegenwärtiger Sensor IC des berg-TMCS1107A3UQDRQ1

Kanal-Strom-Sensoren IC 8-SOIC der integrierten Schaltung des Chip-TMCS1107A4UQDRQ1 1

Elektronischer Halleffekt-gegenwärtiger Sensor der integrierten Schaltungen TMCS1107A3BQDRQ1

Oberflächenberg Hall Effect Current Sensors IC des Kanal-TMCS1101A2UQDRQ1 1

N-Kanal einzelner Chip der integrierten Schaltung der MOSFETs-Transistor-SCT3060AW7TL

N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-SCT3160KW7TL 17A einzelne MOSFETs-Transistoren

Treiben Automobilgrad-N-Kanal der Transistor-SCT2160KEHRC11 sic MOSFET TO-247-3 an

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