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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Speicher-IC-Chip 128Mb S70KL1282GABHV020 PSRAM-IC Hyperbus 200MHz 35ns 24-FBGA

Teilnummer:S70KL1282GABHV020

Reihe:HyperRAM™ Kiloliter

Speichertypen:Flüchtig
Gedächtnis IC Chip Surface Mounts PSRAM der integrierten Schaltung S80KS2563GABHB020

Teilnummer:S80KS2563GABHB020

Gedächtnisorganisation:32M x 8

Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:35ns
D-RAM HyperRAM ICs 128Mbit 200MHz Gedächtnis S70KS1283GABHA023 PSRAM

Teilnummer:S70KS1283GABHA023

Schnittstellen-Bandbreite:400 MByte/s

Schnittstellen-Frequenz (SDR/DDR) (MHZ):- /200
Gedächtnis IC 64Mbit HyperBus S27KS0642GABHV023 IC Chip Pseudo SRAM 200 MHZ

Teilnummer:S27KS0642GABHV023

Speichergröße:4Mbit

Technologie:D-RAM 38-nm
Speicher-IC-Chip S27KL0642GABHI033 Pseudo-SRAM-Speicher-IC 200MHz FBGA24-IC-Chips

Teilnummer:S27KL0642GABHI033

Schnittstellen:HyperBus

Tiefes Abschaltung (CS# = VCC = 2,0 V, 105°C):µA 12
Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen S70KL1282GABHB033 elektronisches Pseudo-SRAM 128Mbit

Teilnummer:S70KL1282GABHB033

Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.

Schnittstellenunterstützung:1.8V
Speicher-IC Chip S70KS1282GABHA023 200MHz Pseudo-SRAM-Speicher-IC 24-FBGA

Teilnummer:S70KS1282GABHA023

Versorgungs-Spannung (Minute):1.7V

Betriebstemperatur (Minute):-40°C (TA)
Pseudo-SRAM Gedächtnis IC der integrierten Schaltung S80KS2562GABHA023 des Chip-24-VBGA 256Mbit

Teilnummer:S80KS2562GABHA023

Technologie:D-RAM 25-nm

Betriebstemperaturbereich - industriell plus (V):– °C 40 zu °C +105
Speicherchips 24-FBGA der integrierten Schaltung S70KS1282GABHV020 des Chip-128Mbit PSRAM

Teilnummer:S70KS1282GABHV020

Versorgungs-Strom - maximal:60 MA

Zugriffszeit:35 ns
Speicher-IC-Chip S70KL1283GABHV020 128Mbit Pseudo-SRAM-Speicher-IC 24-FBGA-IC-Chips

Teilnummer:S70KL1283GABHV020

Führungs-Ball-Ende:N/A

Schnittstellen:xSPI (Oktal)
Speicher-IC-Chip S27KS0642GABHB020 24-FBGA Pseudo-SRAM-Speicher-IC 200MHz

Teilnummer:S27KS0642GABHB020

Gedächtnisorganisation:8M x 8

Schnittstellen-Bandbreite:400 MByte/s
Gedächtnis IC 24-FBGA der integrierten Schaltung S27KS0643GABHA023 des Chip-PSRAM

Teilnummer:S27KS0643GABHA023

Höchstrückflut Temp:°C 260

Speicheroberfläche:SPI - Oktal-Input/Output

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Pseudo-SRAM Gedächtnis IC der integrierten Schaltung S80KS2562GABHA023 des Chip-24-VBGA 256Mbit

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Speicher-IC-Chip S70KL1283GABHV020 128Mbit Pseudo-SRAM-Speicher-IC 24-FBGA-IC-Chips

Speicher-IC-Chip S27KS0642GABHB020 24-FBGA Pseudo-SRAM-Speicher-IC 200MHz

Gedächtnis IC 24-FBGA der integrierten Schaltung S27KS0643GABHA023 des Chip-PSRAM

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