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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-512Mbit S80KS5123GABHB023 35ns 24-FBGA

Teilnummer:S80KS5123GABHB023

Datenbus-Breite:Bit 8

Organisation:8 M x 8
Pseudo-SRAM Chip integrierter Schaltung ICs 24-FBGA 64Mbit Gedächtnis S27KL0643DPBHB023

Teilnummer:S27KL0643DPBHB023

Reihe:HyperRAM™ Kiloliter

Speichertypen:Flüchtig
Chip 35ns S70KS1283GABHI020 128Mbit SPI - Oktal-Input-/Outputgedächtnis IC der integrierten Schaltung

Teilnummer:S70KS1283GABHI020

Dichte:512MB

Versorgungsspannung:1.7V | 2V
Speicherchip Gedächtnis 512Mbit ICs MT25QU512ABB8E12-0 AAT Integrated Circuit Chip 24TBGA

Teilnummer:MT25QU512ABB8E12-0AAT

Spannung:1.7V | 2V

Dichte:512MB
4Gbit Ähnlichkeit MT41K256M16TW-107 AUT: Chip integrierten Schaltung der p-Speicherchip-96FBGA

Teilnummer:MT41K256M16TW-107 AUT: P

Speicherkapazität:4Gbit

Gedächtnis-Art:Flüchtig
Chip S70KS1283GABHI023 SPI - Oktal-Gedächtnis IC der integrierten Schaltung Inputs/Output 200MHz

Teilnummer:S70KS1283GABHI023

DRAM:25nm

Speicheroberfläche:SPI - Oktal-Input/Output
Chip MT29F1G08ABAFAH4-AAT der integrierten Schaltung: Paket f-Gedächtnis ICs 20NS 63-VFBGA

Teilnummer:MT29F1G08ABAFAH4-AAT: F

Datenbus-Breite:Bit 8

Gedächtnis-Schnittstelle:Parallel
Chip MTFC64GAZAQHD-AIT 512Gbit der integrierten Schaltung eMMC 153-VFBGA Gedächtnis IC

Teilnummer:MTFC64GAZAQHD-AIT

Speicherkapazität:512 GBS

Speicherorganisation:64G x 8
Gedächtnis ICs 512Gbit MMC 153-VFBGA IC-Chip-MTFC64GAZAQHD-AAT Oberflächenberg

Teilnummer:MTFC64GAZAQHD-AAT

Gedächtnis-Schnittstelle:eMMC

Betriebstemperatur:-40°C | 105°C (TA)
MTFC64GAZAQHD-WT 512Gbit eMMC 200 BLITZ MHZ 153-VFBGA - NAND Memory IC

Teilnummer:MTFC64GAZAQHD-WT

Speicherkapazität:512Gbit

Speicherorganisation:64G x 8
Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-MTFC64GAZAQHD-IT 512Gbit 200MHz 153-VFBGA

Teilnummer:MTFC64GAZAQHD-IT

Gedächtnis-Schnittstelle:eMMC

Taktfrequenz:200 MHZ
IC brechen MT29F1G16ABBFAH4-AAT ab: OberflächenParallelspeicher IC F 63-VFBGA berg-1Gbit

Teilnummer:MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F

Technologie:BLITZ - NAND (SLC)

Paket:63-VFBGA

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Pseudo-SRAM Chip integrierter Schaltung ICs 24-FBGA 64Mbit Gedächtnis S27KL0643DPBHB023

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Speicherchip Gedächtnis 512Mbit ICs MT25QU512ABB8E12-0 AAT Integrated Circuit Chip 24TBGA

4Gbit Ähnlichkeit MT41K256M16TW-107 AUT: Chip integrierten Schaltung der p-Speicherchip-96FBGA

Chip S70KS1283GABHI023 SPI - Oktal-Gedächtnis IC der integrierten Schaltung Inputs/Output 200MHz

Chip MT29F1G08ABAFAH4-AAT der integrierten Schaltung: Paket f-Gedächtnis ICs 20NS 63-VFBGA

Chip MTFC64GAZAQHD-AIT 512Gbit der integrierten Schaltung eMMC 153-VFBGA Gedächtnis IC

Gedächtnis ICs 512Gbit MMC 153-VFBGA IC-Chip-MTFC64GAZAQHD-AAT Oberflächenberg

MTFC64GAZAQHD-WT 512Gbit eMMC 200 BLITZ MHZ 153-VFBGA - NAND Memory IC

Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-MTFC64GAZAQHD-IT 512Gbit 200MHz 153-VFBGA

IC brechen MT29F1G16ABBFAH4-AAT ab: OberflächenParallelspeicher IC F 63-VFBGA berg-1Gbit

Chip der integrierten Schaltung

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