China Speicher-IC-Chip

Chip 512Mbit HyperBus der integrierten Schaltung S26HS512TGABHV010 200 MHZ-Gedächtnis IC

Teilnummer:S26HS512TGABHV010

Spannung - Versorgung:1.7V | 2V

Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.
200 MHZ-Gedächtnis IC-Oberflächen-Berg-elektronische integrierte Schaltungen S26HS512TGABHV013

Teilnummer:S26HS512TGABHV013

DDR las:166MHz

Produktstatus:Aktiv
Paket Gedächtnis S70KS1282GABHB030 ICs 128Mbit HyperBus 200MHz 35ns 24-FBGA

Teilnummer:S70KS1282GABHB030

Technologie:PSRAM (Pseudo-SRAM)

Speichertypen:Flüchtig
S27KL0642GABHI023 elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen 64Mbit HyperBus

Teilnummer:S27KL0642GABHI023

Bereitschaft:µA 330

Feuchtigkeit empfindlich:- Ja, das ist es.
Chip S26HS01GTGABHM020 integrierter Schaltung ICs 24-VBGA Gedächtnis 1Gbit 200MHz

Teilnummer:S26HS01GTGABHM020

Taktfrequenz:50 MHz

SPI las schnell:20,75 MBps
IC-Chip S70KL1282GABHI023 128Mbit HyperBus 200 MHZ-Gedächtnis IC-Oberflächen-Berg

Teilnummer:S70KL1282GABHI023

Maximale Taktfrequenz:200 MHz

Maximale Zugriffzeit:35 ns
Elektronische integrierte Schaltungen S27KS0643GABHB023 SPI - Oktal-Input-/Outputgedächtnis IC

Teilnummer:S27KS0643GABHB023

Speichergröße:64 Mbit

Uhrfrequenz:200 MHz
Pseudo-SRAM Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-S70KL1283GABHV023 128Mbit

Teilnummer:S70KL1283GABHV023

Datenbus:8 Bit

Taktfrequenz:200-MHz
24-VBGA Oberflächengedächtnis IC des berg-S27KS0642GABHI020 64Mbit HyperBus 200MHz

Teilnummer:S27KS0642GABHI020

Gedächtnisorganisation:8M x 8

Speicheroberfläche:HyperBus
Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-VBGA der integrierten Schaltung des Chip-S70KS1283GABHB023

Teilnummer:S70KS1283GABHB023

Speicherformat:PSRAM

Speicheroberfläche:SPI - Oktal-Input/Output
IC-Chip S80KS5123GABHA020 SPI - Oktal-Gedächtnis IC Inputs/Output 200 MHZ 35 ns 24-FBGA

Teilnummer:S80KS5123GABHA020

Anfangszugriffzeit:35 ns

Bandbreite:400 MByte/s
S27KL0642GABHI020 Chip 24FBGA der integrierten Schaltung 64Mbit Chip Memory IC

Teilnummer:S27KL0642GABHI020

Uhrfrequenz:200 MHz

Zugriffszeit:35 ns

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Speicher-IC-Chip

China Speicher-IC-Chip

Chip 512Mbit HyperBus der integrierten Schaltung S26HS512TGABHV010 200 MHZ-Gedächtnis IC

200 MHZ-Gedächtnis IC-Oberflächen-Berg-elektronische integrierte Schaltungen S26HS512TGABHV013

Paket Gedächtnis S70KS1282GABHB030 ICs 128Mbit HyperBus 200MHz 35ns 24-FBGA

S27KL0642GABHI023 elektronisches Gedächtnis IC der integrierten Schaltungen 64Mbit HyperBus

Chip S26HS01GTGABHM020 integrierter Schaltung ICs 24-VBGA Gedächtnis 1Gbit 200MHz

IC-Chip S70KL1282GABHI023 128Mbit HyperBus 200 MHZ-Gedächtnis IC-Oberflächen-Berg

Elektronische integrierte Schaltungen S27KS0643GABHB023 SPI - Oktal-Input-/Outputgedächtnis IC

Pseudo-SRAM Gedächtnis IC der integrierten Schaltung des Chip-S70KL1283GABHV023 128Mbit

24-VBGA Oberflächengedächtnis IC des berg-S27KS0642GABHI020 64Mbit HyperBus 200MHz

Pseudo-SRAM Gedächtnis IC 24-VBGA der integrierten Schaltung des Chip-S70KS1283GABHB023

IC-Chip S80KS5123GABHA020 SPI - Oktal-Gedächtnis IC Inputs/Output 200 MHZ 35 ns 24-FBGA

S27KL0642GABHI020 Chip 24FBGA der integrierten Schaltung 64Mbit Chip Memory IC

Chip der integrierten Schaltung

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