China Automobil-IGBT-Module

Automotive-IGBT-Module MSC100SM70JCU2 Boost-Chopper-SiC-MOSFET-Leistungsmodul SOT-227-4

Teilnummer:MSC100SM70JCU2

Fet-Art:N-Kanal

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V
Automobil-Silikon-Karbidenergiemodul Transistoren IGBT-Modul-MSCSM70AM025CD3AG

Teilnummer:MSCSM70AM025CD3AG

VF:1,5 V

vr:700 V
Getrennte Silikon-Karbid-Transistoren der Halbleiter-Modul-MSCSM120AM50CT1AG

Teilnummer:MSCSM120AM50CT1AG

Technologie:SIC

Art:Phasen-Bein
Dreistufiger Wechselrichter MSCSM170TLM23C3AG SiC-MOSFET-Leistungsmodul 1700 V 4N-Kanal

Teilnummer:MSCSM170TLM23C3AG

Lieferanten-Gerät-Paket:SP3F

Paket/Fall:Modul
Automobil-IGBT-Module MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:MSCSM120AM11CT3AG

Rückgenesungszeit:90ns

Kreuzung-zu-Fall-thermischer Widerstand:0.126°C/W
des Silikon-4N-Channel Automobil-IGBT Module 700V Karbid MOSFETs-MSCSM70TLM10C3AG

Teilnummer:MSCSM70TLM10C3AG

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:430nC @ 20V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:9000pF @ 700V
Automobil-Silikon-Karbid-Schottky-Modul 1200V IGBT-Modul-MSCDC100A120D1PAG

Teilnummer:MSCDC100A120D1PAG

Dioden-Konfiguration:1 Paar Reihenschaltung

Gesamte kapazitive Ladung VR = 600 V:448 nC (typisch)
Automobil-getrennte Halbleiter-Module IGBT-Modul-MSCSM120TAM16CTPAG 728W

Teilnummer:MSCSM120TAM16CTPAG

Tor-Quelldurchsickernstrom:1μA

Tor-Schwellen-Spannung:2.8V
Fahrgestelle-Berg-Transistor-Modul MSCSM120TAM11CTPAG Mosfet-Reihen-1200V 251A

Teilnummer:MSCSM120TAM11CTPAG

Pulsierter Abfluss-Strom:1600A

Tor-Quellspannung:25V
1700V 100A Automobil-IGBT Module Silikon-Karbid-Schottky-Dioden-MSCDC100A170D1PAG

Teilnummer:MSCDC100A170D1PAG

Energie-Verbindungsstücke:Verbindungsstücke der Energie M5

Spannung:1700V
Dioden-Energie-Modul der Modul-MSCDC100A70D1PAG Automobil-IGBT der Modul-700V 100A

Teilnummer:MSCDC100A70D1PAG

Geschwindigkeit:Keine Genesungszeit > 500mA (Io

Spannung - Vorwärts (Vf) (maximal) @ wenn:1,8 V @ 100 A
Automobil-IGBT-Module MSCSM70VM19C3AG Mosfet-Reihen-Fahrgestelle-Berg-Transistoren

Teilnummer:MSCSM70VM19C3AG

Befestigung von Art:Schrauben-Berge

Vf - Vorwärtsspannung:1,5 V bei 50 A

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Automobil-IGBT-Module

Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

China Automobil-IGBT-Module

Automotive-IGBT-Module MSC100SM70JCU2 Boost-Chopper-SiC-MOSFET-Leistungsmodul SOT-227-4

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Automobil-Silikon-Karbid-Schottky-Modul 1200V IGBT-Modul-MSCDC100A120D1PAG

Automobil-getrennte Halbleiter-Module IGBT-Modul-MSCSM120TAM16CTPAG 728W

Fahrgestelle-Berg-Transistor-Modul MSCSM120TAM11CTPAG Mosfet-Reihen-1200V 251A

1700V 100A Automobil-IGBT Module Silikon-Karbid-Schottky-Dioden-MSCDC100A170D1PAG

Dioden-Energie-Modul der Modul-MSCDC100A70D1PAG Automobil-IGBT der Modul-700V 100A

Automobil-IGBT-Module MSCSM70VM19C3AG Mosfet-Reihen-Fahrgestelle-Berg-Transistoren

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver