des Silikon-4N-Channel Automobil-IGBT Module 700V Karbid MOSFETs-MSCSM70TLM10C3AG

4N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFETs MSCSM70TLM10C3AG Automobil-IGBT-Module 700 V

Produktbeschreibung vonMSCSM70TLM10C3AG

MSCSM70TLM10C3AG ist ein 4N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET-Modul, 700 V 241 A (Tc), Durchgangslochmodul.

Spezifikation vonMSCSM70TLM10C3AG

Merkmale vonMSCSM70TLM10C3AG

• Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 241 A (Tc)
• Rds On (Max) bei Id, Vgs: 9,5 mOhm bei 80 A, 20 V
• Vgs(th) (Max) bei Id: 2,4 V bei 8 mA (Typ)

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FAQ

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