China Automobil-IGBT-Module

Module 1200V des N-Kanal-MSC40SM120JCU3 Automobil-IGBT sic MOSFET-Energie-Modul

Teilnummer:MSC40SM120JCU3

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C:55A (Tc)

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:2.7V @ 1mA
Module MSC130SM120JCU3 Vollsiliziumkarbid-Leistungsmodul 1200 V 173 A N-Kanal

Teilnummer:MSC130SM120JCU3

Produkt:IGBT-Silikon-Karbid-Module

Vf - Vorwärtsspannung:1,5 V
Automobil-Fahrgestelle-Berg-Transistoren IGBT-Modul-MSCSM170AM45CT1AG 319W

Teilnummer:MSCSM170AM45CT1AG

VDSS:1700V

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss:64A (Tc)
Automobil-IGBT-Module MSCSM120DAM11CT3AG sic MOSFET-Energie-Modul 4000Vrms

Teilnummer:MSCSM120DAM11CT3AG

Vf - Vorwärtsspannung:1,5 V bei 180 A

Abfallzeit:25 ns
MSCSM70AM10CT3AG getrennter Fahrgestelle-Berg SP3F der Halbleiter-Modul-700V 241A 690W

Teilnummer:MSCSM70AM10CT3AG

Produkt-Kategorie:Getrennte Halbleiter-Module

Vf - Vorwärtsspannung:1,5 V bei 100 A
1200-V-Automobil-IGBT-Module MSC130SM120JCU2 N-Kanal-Siliziumkarbid SOT-227-4

Teilnummer:MSC130SM120JCU2

Art:Auftriebs-Zerhacker

Vgs - Tor-Quellspannung:- 10 V, + 25 V
Automotive-IGBT-Module MSC100SM70JCU2 Boost-Chopper-SiC-MOSFET-Leistungsmodul SOT-227-4

Teilnummer:MSC100SM70JCU2

Fet-Art:N-Kanal

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V
Automobil-Silikon-Karbidenergiemodul Transistoren IGBT-Modul-MSCSM70AM025CD3AG

Teilnummer:MSCSM70AM025CD3AG

VF:1,5 V

vr:700 V
Getrennte Silikon-Karbid-Transistoren der Halbleiter-Modul-MSCSM120AM50CT1AG

Teilnummer:MSCSM120AM50CT1AG

Technologie:SIC

Art:Phasen-Bein
Dreistufiger Wechselrichter MSCSM170TLM23C3AG SiC-MOSFET-Leistungsmodul 1700 V 4N-Kanal

Teilnummer:MSCSM170TLM23C3AG

Lieferanten-Gerät-Paket:SP3F

Paket/Fall:Modul
Automobil-IGBT-Module MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:MSCSM120AM11CT3AG

Rückgenesungszeit:90ns

Kreuzung-zu-Fall-thermischer Widerstand:0.126°C/W
des Silikon-4N-Channel Automobil-IGBT Module 700V Karbid MOSFETs-MSCSM70TLM10C3AG

Teilnummer:MSCSM70TLM10C3AG

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:430nC @ 20V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:9000pF @ 700V

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Automobil-IGBT-Module

Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

China Automobil-IGBT-Module

Module 1200V des N-Kanal-MSC40SM120JCU3 Automobil-IGBT sic MOSFET-Energie-Modul

Module MSC130SM120JCU3 Vollsiliziumkarbid-Leistungsmodul 1200 V 173 A N-Kanal

Automobil-Fahrgestelle-Berg-Transistoren IGBT-Modul-MSCSM170AM45CT1AG 319W

Automobil-IGBT-Module MSCSM120DAM11CT3AG sic MOSFET-Energie-Modul 4000Vrms

MSCSM70AM10CT3AG getrennter Fahrgestelle-Berg SP3F der Halbleiter-Modul-700V 241A 690W

1200-V-Automobil-IGBT-Module MSC130SM120JCU2 N-Kanal-Siliziumkarbid SOT-227-4

Automotive-IGBT-Module MSC100SM70JCU2 Boost-Chopper-SiC-MOSFET-Leistungsmodul SOT-227-4

Automobil-Silikon-Karbidenergiemodul Transistoren IGBT-Modul-MSCSM70AM025CD3AG

Getrennte Silikon-Karbid-Transistoren der Halbleiter-Modul-MSCSM120AM50CT1AG

Dreistufiger Wechselrichter MSCSM170TLM23C3AG SiC-MOSFET-Leistungsmodul 1700 V 4N-Kanal

Automobil-IGBT-Module MSCSM120AM11CT3AG 1.2kV 254A 1.067kW MOSFETs-Transistoren

des Silikon-4N-Channel Automobil-IGBT Module 700V Karbid MOSFETs-MSCSM70TLM10C3AG

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver