China Automobil-IGBT-Module

Getrennte Fahrgestelle-Berg-Transistoren des Halbleiter-Modul-MSCSM170AM058CD3AG

Teilnummer:MSCSM170AM058CD3AG

Befestigung der Art:Chassishalterung

Betriebstemperatur:-40 °C ~ 175 °C (TJ)
Automobil-Phasen-Bein IGBT-Modul-MSCSM170AM15CT3AG sic MOSFET-Energie-Modul

Teilnummer:MSCSM170AM15CT3AG

Abfluss-Quelle auf Widerstand:mΩ 15

Verlustleistung:862W
Getrennte Halbleiter-Transistoren MSCSM170AM23CT1AG Mosfet-Reihen-1.7kV 124A

Teilnummer:MSCSM170AM23CT1AG

Konfiguration:2 n-Kanal (Phasen-Bein)

VGS:20 V
Module 1200V des N-Kanal-MSC40SM120JCU3 Automobil-IGBT sic MOSFET-Energie-Modul

Teilnummer:MSC40SM120JCU3

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C:55A (Tc)

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:2.7V @ 1mA
Module MSC130SM120JCU3 Vollsiliziumkarbid-Leistungsmodul 1200 V 173 A N-Kanal

Teilnummer:MSC130SM120JCU3

Produkt:IGBT-Silikon-Karbid-Module

Vf - Vorwärtsspannung:1,5 V
Automobil-Fahrgestelle-Berg-Transistoren IGBT-Modul-MSCSM170AM45CT1AG 319W

Teilnummer:MSCSM170AM45CT1AG

VDSS:1700V

Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss:64A (Tc)
Automobil-IGBT-Module MSCSM120DAM11CT3AG sic MOSFET-Energie-Modul 4000Vrms

Teilnummer:MSCSM120DAM11CT3AG

Vf - Vorwärtsspannung:1,5 V bei 180 A

Abfallzeit:25 ns
MSCSM70AM10CT3AG getrennter Fahrgestelle-Berg SP3F der Halbleiter-Modul-700V 241A 690W

Teilnummer:MSCSM70AM10CT3AG

Produkt-Kategorie:Getrennte Halbleiter-Module

Vf - Vorwärtsspannung:1,5 V bei 100 A
1200-V-Automobil-IGBT-Module MSC130SM120JCU2 N-Kanal-Siliziumkarbid SOT-227-4

Teilnummer:MSC130SM120JCU2

Art:Auftriebs-Zerhacker

Vgs - Tor-Quellspannung:- 10 V, + 25 V
Automotive-IGBT-Module MSC100SM70JCU2 Boost-Chopper-SiC-MOSFET-Leistungsmodul SOT-227-4

Teilnummer:MSC100SM70JCU2

Fet-Art:N-Kanal

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:19mOhm @ 40A, 20V
Automobil-Silikon-Karbidenergiemodul Transistoren IGBT-Modul-MSCSM70AM025CD3AG

Teilnummer:MSCSM70AM025CD3AG

VF:1,5 V

vr:700 V
Getrennte Silikon-Karbid-Transistoren der Halbleiter-Modul-MSCSM120AM50CT1AG

Teilnummer:MSCSM120AM50CT1AG

Technologie:SIC

Art:Phasen-Bein

Page 181 of 183|< << 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 >> >|

Automobil-IGBT-Module

Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

China Automobil-IGBT-Module

Getrennte Fahrgestelle-Berg-Transistoren des Halbleiter-Modul-MSCSM170AM058CD3AG

Automobil-Phasen-Bein IGBT-Modul-MSCSM170AM15CT3AG sic MOSFET-Energie-Modul

Getrennte Halbleiter-Transistoren MSCSM170AM23CT1AG Mosfet-Reihen-1.7kV 124A

Module 1200V des N-Kanal-MSC40SM120JCU3 Automobil-IGBT sic MOSFET-Energie-Modul

Module MSC130SM120JCU3 Vollsiliziumkarbid-Leistungsmodul 1200 V 173 A N-Kanal

Automobil-Fahrgestelle-Berg-Transistoren IGBT-Modul-MSCSM170AM45CT1AG 319W

Automobil-IGBT-Module MSCSM120DAM11CT3AG sic MOSFET-Energie-Modul 4000Vrms

MSCSM70AM10CT3AG getrennter Fahrgestelle-Berg SP3F der Halbleiter-Modul-700V 241A 690W

1200-V-Automobil-IGBT-Module MSC130SM120JCU2 N-Kanal-Siliziumkarbid SOT-227-4

Automotive-IGBT-Module MSC100SM70JCU2 Boost-Chopper-SiC-MOSFET-Leistungsmodul SOT-227-4

Automobil-Silikon-Karbidenergiemodul Transistoren IGBT-Modul-MSCSM70AM025CD3AG

Getrennte Silikon-Karbid-Transistoren der Halbleiter-Modul-MSCSM120AM50CT1AG

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver