China Automobil-IGBT-Module

Modul-Graben-Feld-Endhalbbrücke-Inverter der Transistor-FF450R12ME4 IGBT

Teilnummer:FF450R12ME4

Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch:1200 V

Konfiguration:Halbbrücke-Inverter
Energie-Modul MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W Mosfet-Reihen-sic Transistoren

Teilnummer:MSCSM120HM16CT3AG

Gesamttorgebühr:1602nC

Konfiguration:N-Kanal 4
Vollbrücke Mosfet-4N-Channel Reihen-MSCSM170HM23CT3AG sic MOSFET-Energie-Modul 602W

Teilnummer:MSCSM170HM23CT3AG

Verlustleistung TC = °C 25:602W (maximal)

Abfluss-Quelle AUF dem Widerstand (maximal):22.5mΩ
Automobil-Vollbrücke IGBT-Modul-MSCSM120HM083CAG treiben sic Modul-Transistoren an

Teilnummer:MSCSM120HM083CAG

VGS:10V

Verlustleistung:1042W
Transistoren MSCSM120HM063CAG Mosfet-Arrays Vollbrücken-SiC-Leistungsmodul

Teilnummer:MSCSM120HM063CAG

Pulsierter Abfluss-Strom:900A

Tor-Quellgebühr:232nC
Module MSCSM170HM087CAG Automobil-IGBT-Module 1700 V 4N-Kanal-Mosfet-Array

Teilnummer:MSCSM170HM087CAG

Technologie:Silikon-Karbid (sic)

Konfiguration:N-Kanal 4 (Vollbrücke)
Automobil-IGBT-Module MSCSM70HM038CAG Mosfet-Reihen-Transistoren schrauben Berge

Teilnummer:MSCSM70HM038CAG

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 125 C

Art:Vollbrücke
Automobil-Sourceschaltung MOSFET IGBT-Modul-MSCSM170DUM039AG 2N-Channel kleidet

Teilnummer:MSCSM170DUM039AG

Paket/Fall:Modul

Abfluss-Quellspannung (maximal):1700V
Getrennte Automobil-IGBT Module der Halbleiter-Transistor-MSCSM70HM05CAG 700V

Teilnummer:MSCSM70HM05CAG

VF:1,5 V

Technologie:SIC
Automobil-Energie-Modul-Transistor-Fahrgestelle-Berg IGBT-Modul-MSCSM70HM19CT3AG

Teilnummer:MSCSM70HM19CT3AG

Macht- maximales:365W (Tc)

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:4500pF @ 700V
Dual Common Source MSCSM170DUM11T3AG Automobil-IGBT-Module 240 A 1700 V MOSFETs

Teilnummer:MSCSM170DUM11T3AG

Lieferanten-Gerät-Paket:SP3F

Betriebstemperatur (Minute):-40°C (TJ)
Automobil-IGBT-Module MSCSM70DUM017AG 2N-Channel sic MOSFET-Energie-Modul 700V

Teilnummer:MSCSM70DUM017AG

Konfiguration:2 N-Kanal-(Doppel) Sourceschaltung

Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss):700V

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Automobil-IGBT-Module

Mittlere Doppeldreiphasen-PIM IGBT Module Energie Econo FF900R12ME7WB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1 20mW 3 photo-voltaische Energie der Phasen-IGBT des Modul-950V 70A

Automobil-Doppel-IGBT Modul IGBT-Modul-FF900R12ME7B11NPSA1 1200V 900A

China Automobil-IGBT-Module

Modul-Graben-Feld-Endhalbbrücke-Inverter der Transistor-FF450R12ME4 IGBT

Energie-Modul MSCSM120HM16CT3AG 1200V 745W Mosfet-Reihen-sic Transistoren

Vollbrücke Mosfet-4N-Channel Reihen-MSCSM170HM23CT3AG sic MOSFET-Energie-Modul 602W

Automobil-Vollbrücke IGBT-Modul-MSCSM120HM083CAG treiben sic Modul-Transistoren an

Transistoren MSCSM120HM063CAG Mosfet-Arrays Vollbrücken-SiC-Leistungsmodul

Module MSCSM170HM087CAG Automobil-IGBT-Module 1700 V 4N-Kanal-Mosfet-Array

Automobil-IGBT-Module MSCSM70HM038CAG Mosfet-Reihen-Transistoren schrauben Berge

Automobil-Sourceschaltung MOSFET IGBT-Modul-MSCSM170DUM039AG 2N-Channel kleidet

Getrennte Automobil-IGBT Module der Halbleiter-Transistor-MSCSM70HM05CAG 700V

Automobil-Energie-Modul-Transistor-Fahrgestelle-Berg IGBT-Modul-MSCSM70HM19CT3AG

Dual Common Source MSCSM170DUM11T3AG Automobil-IGBT-Module 240 A 1700 V MOSFETs

Automobil-IGBT-Module MSCSM70DUM017AG 2N-Channel sic MOSFET-Energie-Modul 700V

Chip der integrierten Schaltung

VN7008AJTR Integrierter Schaltkreis Chip High-Side-Treiber 96A High-Side-Schalter PowerSSO-16

ADG1433YCPZ Integrierter Schaltkreislauf Chip iCMOSTM Schalter 4.7 Ohm Industrielle CMOS Analogschalter

LT6700CS6-1 Integrierter Schaltkreislauf Chip Mikroenergie Niederspannung Dual Comparator mit 400mV Referenz

Ethernet-IC

PEX8606-BA50BCG Ethernet IC 5.0GT/s 6-Lane 6-Port PCI Express Gen 2 Schalter PBGA-196

PEX8619-BA50BIG Ethernet IC 16-Lane 16-Port PCI Express Switch HSBGA-324 PCIe Switch

88E1111-B2-RCJ1C000 Ethernet-IC Alaska Ultra Gigabit Ethernet PHY-Transceiver