China Chip der integrierten Schaltung

NTH4L015N065SC1 N-Kanal 650V 142A MOSFET-Silikon-Karbid-Transistoren

Teilnummer:NTH4L015N065SC1

Gebührenzeit:17 ns

Abbauzeit:11 ns
N-Kanal-Transistoren integrierter Schaltung Energie MOSFET NTH4L027N65S3F des Chip-TO-247-4

Teilnummer:NTH4L027N65S3F

Befestigung von Art:Durch Loch

Transistor-Polarität:N-Kanal
N-Kanal der integrierten Schaltung des Chip-NVMFS5C612NWFT1G einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:NVMFS5C612NWFT1G

Ununterbrochener Abfluss-Strom:225 A

Gate−to−Source-Spannung:±20 V
Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-IXYX110N120B4 1200V 340A 1360W IGBT

Teilnummer:IXYX110N120B4

Maximale Tor-Emitter-Spannung:- 20 V, 20 V

Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:340 A
TO-247-3 Durchgangsloch IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Einzel-IGBT-Transistoren

Teilnummer:IXYH55N120C4

Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:1,2 KV

Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:2,5 V
Elektronisches Paket der integrierten Schaltungen IXYH85N120C4 IGBT der Transistor-TO-247-3

Teilnummer:IXYH85N120C4

Gewicht:6 g

Betriebstemperatur:-55°C | 175°C (TJ)
Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch

Teilnummer:IXYX110N120A4

Testbedingung:600V, 50A, 1.5Ohm, 15V

Lieferanten-Gerät-Paket:TO-247 (IXTH)
TO-263-3 IXYA20N120B4HV einzelner IGBTs Chip integrierten Schaltung der Transistor-1200V

Teilnummer:IXYA20N120B4HV

Paket/Fall:TO-263HV-3

Reihe:GenX4™, XPT™
einzelne IGBTs IXYH55N120A4 getrennte Halbleiter-Transistoren 1200V 175A

Teilnummer:IXYH55N120A4

IGBT-Art:Pint

Produktstatus:Aktiv
Chip einzelne des IGBTs-Transistor-Oberflächenberg-IXYA20N120A4HV TO-263-3 IC

Teilnummer:IXYA20N120A4HV

Stückgewicht:2,500 g

Eingegebene Art:Standard
Hochspannung integrierten Schaltung der IGBTs-Transistor-IXYH16N250CV1HV TO-247-3 des Chip-2500V

Teilnummer:IXYH16N250CV1HV

Toreingangswiderstand:5.8Ω

Festgeklemmte induktive Belastung:1500V
Chip der integrierten Schaltung der Transistor-650V einzelner IGBTs IXXX140N65B4H1 der Transistor-TO-247-3

Teilnummer:IXXX140N65B4H1

Produkt-Art:IGBT-Transistoren

PD - Verlustleistung:1,2 Kilowatt

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Elektronisches Paket der integrierten Schaltungen IXYH85N120C4 IGBT der Transistor-TO-247-3

Chip TO-247-3 integrierten Schaltung 1200V IGBT der Transistor-IXYX110N120A4 durch Loch

TO-263-3 IXYA20N120B4HV einzelner IGBTs Chip integrierten Schaltung der Transistor-1200V

einzelne IGBTs IXYH55N120A4 getrennte Halbleiter-Transistoren 1200V 175A

Chip einzelne des IGBTs-Transistor-Oberflächenberg-IXYA20N120A4HV TO-263-3 IC

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