China Chip der integrierten Schaltung

Chip IPT004N03LATMA1 der integrierten Schaltung Paket MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF

Teilnummer:IPT004N03LATMA1

Fet-Art:N-Kanal

Technologie:MOSFET (Metalloxid)
Oberflächenc$n-kanal des berg-BSC050N10NS5ATMA1 100V einzelne MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:BSC050N10NS5ATMA1

Verlustleistung:3W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur:-55°C | 175°C (TJ)
Einzelner Chip der integrierten Schaltung des N-Kanal-NVHL040N120SC1 sic der Leistungstransistor-1200V

Teilnummer:NVHL040N120SC1

Vgs-Th - Tor-Quellschwellen-Spannung:4,3 V

PD - Verlustleistung:348 W
Elektronische N-Kanal 8A der integrierten Schaltungen IPP60R065S7XKSA1 MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:IPP60R065S7XKSA1

Fet-Art:N-Kanal

Produktstatus:Aktiv
Getrennte Halbleiter-Produkte IPDQ60R040S7XTMA1 MOSFETs-Transistoren

Teilnummer:IPDQ60R040S7XTMA1

Technologie:Si

Kanäle:1
Elektronische Transistor-Oberflächenberg der integrierten Schaltungen IPDQ60R022S7XTMA1

Teilnummer:IPDQ60R022S7XTMA1

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:4.5V @ 1.44mA

Betriebstemperatur:-55°C | 150°C (TJ)
IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

Teilnummer:NTH4L020N090SC1

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)

Fet-Art:N-Kanal
N-Kanal-Transistoren des IC-Chip-NVBLS001N06C 60V 51A Oberflächenberg-8-HPSOF

Teilnummer:NVBLS001N06C

Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:422 A

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 175 C
Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-NTHL080N120SC1A des N-Kanal-1200V 31A

Teilnummer:NTHL080N120SC1A

RDS an:110mOhm

Vgs:4.3V
Transistoren Chip Integrated Circuits NVH4L022N120M3S N-Kanal-1200V 68A

Teilnummer:NVH4L022N120M3S

Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:68A (Tc)

Antriebsspannung:18V
Elektronische MOSFETs-N-Kanal-Transistoren der integrierten Schaltungen NTBLS1D1N08H

Teilnummer:NTBLS1D1N08H

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:11200 PF @ 40 V
Chip Integrated Circuit NTBG080N120SC1 MOSFET-Silikon-Karbid-Transistoren

Teilnummer:NTBG080N120SC1

Drain−to−Source-Spannung:1200 V

Gate−to−Source-Spannung:−15/+25 V

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Einzelner Chip der integrierten Schaltung des N-Kanal-NVHL040N120SC1 sic der Leistungstransistor-1200V

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