China Chip der integrierten Schaltung

Elektronische Transistor-Oberflächenberg der integrierten Schaltungen IPDQ60R022S7XTMA1

Teilnummer:IPDQ60R022S7XTMA1

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:4.5V @ 1.44mA

Betriebstemperatur:-55°C | 150°C (TJ)
IC-Chip NTH4L020N090SC1 484W MOSFET-Silikon-Karbid-N-Kanal-Transistoren

Teilnummer:NTH4L020N090SC1

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)

Fet-Art:N-Kanal
N-Kanal-Transistoren des IC-Chip-NVBLS001N06C 60V 51A Oberflächenberg-8-HPSOF

Teilnummer:NVBLS001N06C

Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:422 A

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 175 C
Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-NTHL080N120SC1A des N-Kanal-1200V 31A

Teilnummer:NTHL080N120SC1A

RDS an:110mOhm

Vgs:4.3V
Transistoren Chip Integrated Circuits NVH4L022N120M3S N-Kanal-1200V 68A

Teilnummer:NVH4L022N120M3S

Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C:68A (Tc)

Antriebsspannung:18V
Elektronische MOSFETs-N-Kanal-Transistoren der integrierten Schaltungen NTBLS1D1N08H

Teilnummer:NTBLS1D1N08H

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:1.05mOhm @ 50A, 10V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:11200 PF @ 40 V
Chip Integrated Circuit NTBG080N120SC1 MOSFET-Silikon-Karbid-Transistoren

Teilnummer:NTBG080N120SC1

Drain−to−Source-Spannung:1200 V

Gate−to−Source-Spannung:−15/+25 V
Oberflächentransistoren des NTTFD4D0N04HLTWG Mosfet-Reihen-40V 15A berg-12-WQFN

Teilnummer:NTTFD4D0N04HLTWG

Technologie:MOSFET (Metalloxid)

Konfiguration:N-Kanal 2 (Doppel)
Sic N-Kanal 1200V 60A 348W MOSFET NTHL040N120SC1 durch Loch TO-247-3

Teilnummer:NTHL040N120SC1

Fet-Art:N-Kanal

Technologie:SiCFET (Silikon-Karbid)
Chip NVMTS0D7N04CTXG der integrierten Schaltung MOSFET – Energie-einzelner N-Kanal 40 V 0.67m 420A

Teilnummer:NVMTS0D7N04CTXG

Produkt-Kategorie:MOSFET

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:0.67mOhm @ 50A, 10V
Durch Halbleiter-Transistoren des Loch-NVHL060N090SC1 getrennte des N-Kanal-TO-247-3

Teilnummer:NVHL060N090SC1

Nulltorspannungs-Abflussstrom:100 MA

Gate−to−Source-Durchsickern-Strom:±1 MA
N-Kanal-Transistoren TO-220-3 der integrierten Schaltung des Chip-NTP055N65S3H durch Loch

Teilnummer:NTP055N65S3H

Typische Einschaltverzögerungs-Zeit:30 ns

Reihe:SuperFET® III

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N-Kanal-Transistoren des IC-Chip-NVBLS001N06C 60V 51A Oberflächenberg-8-HPSOF

Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-NTHL080N120SC1A des N-Kanal-1200V 31A

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