China Chip der integrierten Schaltung

N-Kanal NVH4L160N120SC1 treiben sic einzelne MOSFET-Transistoren TO-247-4 1200V an

Teilnummer:NVH4L160N120SC1

Minimale Betriebstemperatur:- 55°C

PD - Verlustleistung:111 W
N-Kanal-Transistoren TW045N120C, S1F-Silikon-Karbid MOSFET-Transistoren TO-247-3

Teilnummer:TW045N120C, S1F

Hochspannung:VDSS = 1200 V

thermischer Widerstand des Kanal-zu-Falles (maximal):0.824°C/W
N-Kanal-Transistoren IAUA220N08S5N021 Automobil-MOSFET-Transistoren 5-PowerSFN

Teilnummer:IAUA220N08S5N021

Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation:3.8V @ 120µA

Fet-Art:N-Kanal
Integrierter Schaltkreislauf-Chip IAUZ40N06S5L050ATMA1 N-Kanal Automobil-MOSFET-Transistor 5mOhms

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMFS0D55N03CGT1G 30V Automobil-MOSFET-Transistoren DFN-5

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip NTMJS0D9N04CLTWG Dual Automotive MOSFET Transistoren 8-LFPAK

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip IAUS300N08S5N012T 80V 1,2 mΩ Transistor für die Automobilindustrie

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip NVMTS0D4N04CTXG N-Kanal 40V-MOSFET-Transistoren für die Automobilindustrie

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip IAUA120N04S5N014 40V N-Kanal Automobil-MOSFET-Transistor

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip IAUS165N08S5N029 OptiMOS 5 80V Automobil-MOSFET-Transistor

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip IAUCN04S7L028 40V 100A Transistoren für die Automobilindustrie

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Integrierter Schaltkreislauf-Chip IAUCN04S7N030 Verstärkung Automotive MOSFET Transistoren

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