China Chip der integrierten Schaltung

Einzelner Chip LFPAK33 integrierten Schaltung der FETs MOSFET-Transistor-BUK9M67-60ELX 60V

Teilnummer:BUK9M67-60ELX

Reihe:Automobil, AEC-Q100

Technologie:MOSFET (Metalloxid)
IC bricht BUK9M20-60ELX LFPAK33 einzelne MOSFET-Transistoren des N-Kanal-logischen Zustandes ab

Teilnummer:BUK9M20-60ELX

Paket/Fall:SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)

Befestigung von Art:SMD/SMT
Chip integrierten Schaltung der N-Kanal MOSFET-Transistor-NTBG060N065SC1 D2PAK-7 650V

Teilnummer:NTBG060N065SC1

Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:74 nC @ 18 V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:1473 PF @ 325 V
Silikon-Karbid MOSFET-Transistoren TO-263-8 der integrierten Schaltung des Chip-NTBG025N065SC1

Teilnummer:NTBG025N065SC1

Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:106 A

Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:28,5 mOhms
N-Kanal MOSFET-Transistor der integrierten Schaltung des Chip-NTH4L075N065SC1 TO-247-4 650V

Teilnummer:NTH4L075N065SC1

Ultra niedrige Tor-Gebühr:QG (Knirps) = 61 nC

Niedrige Ausgangskapazität:Coss = 107 PF
N-Kanal 650V MOSFET-Transistoren NTH4L025N065SC1 durch Chips des Loch-TO-247-4 IC

Teilnummer:NTH4L025N065SC1

Minimale Betriebstemperatur:-55°C (TJ)

PD - Verlustleistung:348 W
Chip TO-247-3 integrierten Schaltung der N-Kanal MOSFET-Transistor-NTHL020N120SC1 1200V

Teilnummer:NTHL020N120SC1

RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs:28mOhm @ 60A, 20V

Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:2890 PF @ 800 V
1200V graben sic MOSFET-Transistoren TO-263-8 N-Kanal MOSFET IMBG120R045M1H

Teilnummer:IMBG120R045M1H

Kurzschluss-Widerstands-Zeit:3 µs

Drehungs-wegtorspannung:0V
Chip IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V der integrierten Schaltung graben sic MOSFET-Transistoren

Teilnummer:IMBG120R060M1H

Pulsierter Abfluss-Strom:94A

Verlustleistung, TC = 25°C:181W
Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

Teilnummer:IMBG120R220M1H

Abfallzeit:11 ns

Vorwärtstransconductance - Minute:1,9 S
N-Kanal-Energie MOSFET-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC025SMA120J

Teilnummer:MSC025SMA120J

Minimale Betriebstemperatur:- 55 C

Normalbetriebshöchsttemperatur:+ 175 C
N-Kanal 1200V 19A 94W Silikon-Karbid MOSFET-Transistor-IMW120R140M1H durch Loch

Teilnummer:IMW120R140M1H

Betriebstemperatur:-55°C | 175°C (TJ)

Polarität:N

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Silikon-Karbid MOSFET-Transistoren TO-263-8 der integrierten Schaltung des Chip-NTBG025N065SC1

N-Kanal MOSFET-Transistor der integrierten Schaltung des Chip-NTH4L075N065SC1 TO-247-4 650V

N-Kanal 650V MOSFET-Transistoren NTH4L025N065SC1 durch Chips des Loch-TO-247-4 IC

Chip TO-247-3 integrierten Schaltung der N-Kanal MOSFET-Transistor-NTHL020N120SC1 1200V

1200V graben sic MOSFET-Transistoren TO-263-8 N-Kanal MOSFET IMBG120R045M1H

Chip IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V der integrierten Schaltung graben sic MOSFET-Transistoren

Silikon-Karbid-Graben TO-263-8 des N-Kanal-IMBG120R220M1H 1200V MOSFET-Transistoren

N-Kanal-Energie MOSFET-Transistoren der integrierten Schaltung des Chip-MSC025SMA120J

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